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    Q62702-P5014

    Abstract: Q62702-P5200
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten


    Original
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    Q62702-P5043

    Abstract: No abstract text available
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität


    Original
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    Q62702-P1667

    Abstract: Q62702-P1674 Q62702-P1751 Q62702-P1752 Q62702-P1754
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 313 SFH 313 FA SFH 313 SFH 313 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 313 und bei 880 nm (SFH 313 FA) • Hohe Linearität • 5 mm-Plastikbauform


    Original
    PDF OHF02340 GEX06260 Q62702-P1667 Q62702-P1674 Q62702-P1751 Q62702-P1752 Q62702-P1754

    Q62702-P1796

    Abstract: Q62702-P3605
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3400 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten


    Original
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    TRANSISTOR K 314

    Abstract: SFH 314 SFH314FA
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 314 SFH 314 FA SFH 314 SFH 314 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm (SFH 314) und bei 880 nm (SFH 314 FA)


    Original
    PDF Q62702P1668 TRANSISTOR K 314 SFH 314 SFH314FA

    Q62702-P5209

    Abstract: No abstract text available
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet


    Original
    PDF Q62702-P5043 Q62702-P5209 GEOY6982

    foto transistor

    Abstract: P1103 phototransistor 500-600 nm TRANSISTOR C 460 GEO06953 Q62702-P1103 Q62702-P1796 Q62702-P1805
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3400 1.1 1.0 0.3 0.2 Chip position 0.1 0.0 4.8 4.4 not connected 2.1 1.9 0.8 0.6 0.5 0.3 1.1 0.9 Active area 0.55 0.7 0.3 Collector 2.7 2.5 Emitter GEO06953 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.


    Original
    PDF GEO06953 OHF00309 OHF00327 OHF02341 foto transistor P1103 phototransistor 500-600 nm TRANSISTOR C 460 GEO06953 Q62702-P1103 Q62702-P1796 Q62702-P1805

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 2007-04-03 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 SFH 314, SFH 314 FA SFH 314 SFH 314 FA Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 460 nm.1080 nm SFH 314 , 740 nm. 1080 nm (SFH 314 FA) • Package: 5mm Radial (T 1 ¾), Epoxy


    Original
    PDF D-93055

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 2008-07-30 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 SFH 3401 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 460 . 1080 nm • Package: Smart DIL • High linearity • Available only on tape and reel • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:


    Original
    PDF D-93055

    Q62702-P5200

    Abstract: Q62702-P5014
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten


    Original
    PDF OHF00309 OHF00334 GEO06973 Q62702-P5200 Q62702-P5014

    SFH 314

    Abstract: Q62702-P1668 Q62702-P1675 Q62702-P1755 Q62702-P1756 Q62702-P1757 Q62702-P1758 TRANSISTOR K 314
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 314 SFH 314 FA SFH 314 SFH 314 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 314 und bei 880 nm (SFH 314 FA) • Hohe Linearität • 5 mm-Plastikbauform


    Original
    PDF OHF02342 GEX06630 SFH 314 Q62702-P1668 Q62702-P1675 Q62702-P1755 Q62702-P1756 Q62702-P1757 Q62702-P1758 TRANSISTOR K 314

    Q62702-P1103

    Abstract: Q62702-P1796 Q62702-P1805 Q62702-P3605
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3400 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten


    Original
    PDF OHF00327 OHF02341 GEO06953 Q62702-P1103 Q62702-P1796 Q62702-P1805 Q62702-P3605

    GEX06260

    Abstract: Q62702-P1667 Q62702-P1674 Q62702-P1751 Q62702-P1752 Q62702-P1753 Q62702-P1754
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor SFH 313 SFH 313 FA fex06626 .Neu: Area not flat 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.4 0.6 0.4 1.8 1.2 29 27 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position GEX06260 fexf6626 Cathode Diode Collector (Transistor)


    Original
    PDF fex06626 GEX06260 fexf6626 OHF02336 OHF02342 OHF02340 GEX06260 Q62702-P1667 Q62702-P1674 Q62702-P1751 Q62702-P1752 Q62702-P1753 Q62702-P1754

    Q62702-P5014

    Abstract: Q62702-P5200 fototransistor
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten


    Original
    PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3400 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • Nur gegurtet lieferbar


    Original
    PDF Q65110A2629 Q65110A2634

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • Nur gegurtet lieferbar


    Original
    PDF Q65110A2635 Q65110A2644

    TRANSISTOR K 314

    Abstract: foto transistor SFH 314 phototransistor 500-600 nm GEX06630 Q62702-P1668 Q62702-P1675 Q62702-P1755 Q62702-P1756 Q62702-P1757
    Text: SFH 314 SFH 314 FA NPN-Silizium-Fototransistor New: Silicon NPN Phototransistor Area not flat 6.9 6.1 5.7 5.5 5.9 5.5 1.8 1.2 29.5 27.5 Cathode Diode Collector (Transistor) ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 2.54 mm spacing 0.6 0.4 SFH 314 SFH 314 FA feo06652 .Neu: 4.0


    Original
    PDF feo06652 GEX06630 feof6652 OHF02340 OHF02338 OHF02342 TRANSISTOR K 314 foto transistor SFH 314 phototransistor 500-600 nm GEX06630 Q62702-P1668 Q62702-P1675 Q62702-P1755 Q62702-P1756 Q62702-P1757

    pdso6

    Abstract: phototransistor 500-600 nm GEO06982
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorläufige Daten / Preliminary Data 6.2 5.8 3.4 3.0 A B 2.45 spacing 2.1 1.7 0.0.1 Active area 0.55 6 1 2 3 5 4 0.7 0.4 0.5 0.3 4.2 3.8 1.27 spacing 0.15 0.13


    Original
    PDF GEO06982 OHF00327 OHF02344 pdso6 phototransistor 500-600 nm GEO06982

    TRANSISTOR K 314

    Abstract: foto transistor Q62702-P1668 Q62702-P1675
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 314 SFH 314 FA SFH 314 SFH 314 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 314 und bei 880 nm (SFH 314 FA) • Hohe Linearität


    Original
    PDF Q62702-P1668 Q62702-P3600 Q62702-P16any TRANSISTOR K 314 foto transistor Q62702-P1668 Q62702-P1675

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 2013-08-20 Silicon NPN Phototransistor in SMT Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Version 1.1 SFH 3201 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 460 . 1080 nm • Package: Reflective Interrupter • Special: High linearity


    Original
    PDF D-93055

    Q62702-P5043

    Abstract: ee 3201 IC 3201 Q62702-P5209
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität


    Original
    PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für


    Original
    PDF

    Q62702-P5043

    Abstract: IC 3201
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT Package SFH 3201 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform ohne Basisanschluß, geeignet


    Original
    PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor in SMT Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT-Gehäuse Version 1.2 SFH 3201 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 460 . 1080 nm • Package: Reflective Interrupter • Special: High linearity


    Original
    PDF D-93055