Q65110A2627
Abstract: GEOY6075 GEOY6861 OHFD1781
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter; in SMT Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 F BP 104 FS BP 104 F BP 104 FS Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm
|
Original
|
PDF
|
|
Q62702-P5014
Abstract: Q62702-P5200
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 3401 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm • Hohe Linearität • SMT-Bauform mit Basisanschluß, geeignet für Vapor Phase-Löten und IR-Reflow-Löten
|
Original
|
PDF
|
|
850 nm LED
Abstract: GEOY6647 Q62702-P129 S8050
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode SFH 206 K Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 20 ns • 5-mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse • Auch gegurtet lieferbar
|
Original
|
PDF
|
Q62702-P129
850 nm LED
GEOY6647
Q62702-P129
S8050
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-03-29 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BPW 34 FSR Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for the wavelength range of 780 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns
|
Original
|
PDF
|
D-93055
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-09 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPW 34 S BPW 34 S Features: Besondere Merkmale: • Suitable for reflow soldering • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density
|
Original
|
PDF
|
D-93055
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2011-02-08 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 SFH 2400 FA, SFH 2400 FAR SFH 2400 FA Features: SFH 2400 FAR Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 750 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 5 ns • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von
|
Original
|
PDF
|
D-93055
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-03-29 Silicon PIN Photodiode with Daylight Blocking Filter Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Version 1.0 BPW 34 FS Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for the wavelength range of 780 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns
|
Original
|
PDF
|
D-93055
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-10 Silicon PIN Photodiode Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.1 BPW 34 BPW 34 Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time typ. 20 ns • DIL plastic package with high packing density
|
Original
|
PDF
|
D-93055
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: ! 2007-05-23 Ambient Light and Proximity Sensor Umgebungslicht- und Proximity Sensor Version alpha.1 SFH 7771 Features: • Proximity sensor PS - Detection range up to 250 mm - Suitable for Emitters with 850nm.940nm - Very good performance behind dark cover
|
Original
|
PDF
|
850nm.
940nm
940nm
50Hz/60Hz
250mm
940nm.
D-93055
|
GEOY6651
Abstract: Q62702-P102
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter SFH 205 F Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • Speziell geeignet für Anwendungen bei 950 nm Kurze Schaltzeit typ. 20 ns 5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
|
Original
|
PDF
|
|
p945
Abstract: p945 transistor transistor P945 GEOY6643 Q62702-P945
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit erhöhter Blauempfindlichkeit Silicon PIN Photodiode with Enhanced Blue Sensitivity BPW 34 B Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 25 ns
|
Original
|
PDF
|
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Opto Semiconductors 0.3 min 2.1 1.7 1.0 0.9 5.4 5.0 1.7 1.5 2.4 3.4 3.0 0.3 max 3.0 2.6 2.3 2.1 SFH 3211 SFH 3211 FA fpl06899 NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED RG-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED RG-Package 0.0.1 Cathode/Collector marking
|
Original
|
PDF
|
fpl06899
fplf6899
GPL06899
103ff.
169ff.
|
BPW34S
Abstract: E9087 GEO06643 GEO06863 GEO06916 Q62702-P1602 Q62702-P1790 Q62702-P73 S8050
Text: feo06643 Chip position 0.6 0.4 2.2 1.9 5.4 4.9 4.5 4.3 BPW 34 BPW 34 S BPW 34 S E9087 3.5 3.0 1.2 0.7 0.6 0.4 Cathode marking 4.0 3.7 0.8 0.6 Silizium-PIN-Fotodiode NEU: in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode NEW: in SMT and as Reverse Gullwing
|
Original
|
PDF
|
feo06643
E9087)
GEO06643
OHF00080
OHF00081
OHF00082
OHF01402
BPW34S
E9087
GEO06643
GEO06863
GEO06916
Q62702-P1602
Q62702-P1790
Q62702-P73
S8050
|
GEO06861
Abstract: Q62702-P1605
Text: Neu: Silizium-PIN-Fotodiode New: Silicon PIN Photodiode 1.1 0.9 6.7 6.2 0.5 ˚ 0.2 0.1 0.0.1 0.3 1.2 1.1 Chip position BP 104 S 4.0 3.7 1.7 1.5 0.9 0.7 4.5 4.3 1.6 ±0.2 Cathode lead feo06862 Photosensitive area 2.20 mm x 2.20 mm GEO06861 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
|
Original
|
PDF
|
feo06862
GEO06861
OHF02284
OHF01778
OHF00082
OHF01402
GEO06861
Q62702-P1605
|
|
|
bpw 104
Abstract: C 34 f
Text: Si-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter; in SMT und als Reverse Gullwing Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter; in SMT and as Reverse Gullwing Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPW 34 F, BPW 34 FS, BPW 34 FS (R18R) BPW 34 F BPW 34 FS BPW 34 FS (R18R)
|
Original
|
PDF
|
|
Q65110A2626
Abstract: No abstract text available
Text: Silizium-PIN-Fotodiode Silicon PIN Photodiode Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 S, BP 104 S (R18R) BP 104 S (R18R) BP 104 S Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
|
Original
|
PDF
|
Q65110A2626
Q65110A2626
|
.3211
Abstract: FA4 MARKING
Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED RG-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED RG-Package SFH 3211 SFH 3211 FA SFH 3211 SFH 3211 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1150 nm SFH 3211 und bei
|
Original
|
PDF
|
|
"rain sensor"
Abstract: Q65110A1130 Lambda Sensor GEOY6863 OHLY0597
Text: Silizium-Fotodiode mit Vλ Charakteristik Silicon Photodiode with Vλ Characteristics SFH 2430 Wesentliche Merkmale Features • Spektrale Empfindlichkeit angepasst an die Augenempfindlichkeit Vλ • Niedriger Temperaturkoeffizient der Fotoempfindlichkeit
|
Original
|
PDF
|
|
OHFD1781
Abstract: OHF01430 Q65110A2672 GEOY6861 BP 104 FAS
Text: Silizium-Pin-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon Pin Photodiode with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BP 104 FAS BP 104 FAS (R18R) BP 104 FAS BP 104 FAS (R18R) Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen bei 880 nm
|
Original
|
PDF
|
|
Q62702-P17-S1
Abstract: Q62702-P305 BPX48 diode bzw 06 BPX 48
Text: Silizium-Differential-Fotodiode Silicon Differential Photodiode BPX 48 BPX 48 F BPX 48 BPX 48 F Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm BPX 48 und bei 920 nm (BPX 48 F) • Hohe Fotoempfindlichkeit • DIL-Plastikbauform mit hoher Packungsdichte
|
Original
|
PDF
|
|
Q62702-P1794
Abstract: GEO06972 Q62702-P5035
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 2400 SFH 2400 FA SFH 2400 SFH 2400 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 2400 und bei
|
Original
|
PDF
|
OHF01402
OHF00331
GEO06972
Q62702-P1794
GEO06972
Q62702-P5035
|
2400FA
Abstract: OHFD0228 rainsensor SFH 2400FA
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 2400, SFH 2400FA, SFH 2400FAR SFH 2400 SFH 2400FA SFH 2400FAR Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1100 nm SFH 2400 und von
|
Original
|
PDF
|
2400FA,
2400FAR
2400FA
2400FA
2400FAR)
OHFD0228
rainsensor
SFH 2400FA
|
Fotodiode
Abstract: GEOY6972 Q62702-P1794 Q62702-P5035
Text: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time SFH 2400 SFH 2400 FA SFH 2400 SFH 2400 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 2400 und bei
|
Original
|
PDF
|
GEOY6972
Fotodiode
GEOY6972
Q62702-P1794
Q62702-P5035
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter Silicon-PIN-Photodiode with Daylight Filter Area n ot flat SFH 204 F SFH 204 FA Chip position 5.1 4.7 is W GE006964 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
|
OCR Scan
|
PDF
|
GE006964
SFH204F
OHF2O31O10*
|