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    OSRAM IR emitter IRL

    Abstract: GEOY6391 OHFD1422 Q68000-A7852
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit • Passend zu IRED IRL 80 A, IRL 81 A


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    PDF Q68000-A7852 OSRAM IR emitter IRL GEOY6391 OHFD1422 Q68000-A7852

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    Abstract: No abstract text available
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit


    Original
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    GEOY6391

    Abstract: OHFD1422 LPT80 LPT IC
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit


    Original
    PDF Q68000A7y GEOY6391 OHFD1422 LPT80 LPT IC

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    Abstract: No abstract text available
    Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 LPT 80 A Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 450 . 1100 nm • Package: Sidelooker, Epoxy • Special: High photosensitivity • Same package as IR emitter IRL 80 A, IRL 81 A


    Original
    PDF D-93055

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    Abstract: No abstract text available
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor LPT 80 A Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit • Passend zu IRED IRL 80 A, IRL 81 A


    Original
    PDF Q68000-A7852 Kunstst10 GEOY6391

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    Abstract: No abstract text available
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit


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    PDF Q68000A7852 54-oice

    phototransistor NPN

    Abstract: phototransistor 600 nm LAMBDA phototransistor 500-600 nm "IR Emitter" FOTOTRANSISTOR fototransistor led Lambda Semiconductors lichtschranke Lambda 64
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: 450 nm .1100 nm • Gehäuse: Sidelooker, Harz • Besonderheit des Bauteils:


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    LPT 80 A

    Abstract: GEO06391 OHFD1422 Q68000-A7852 IRL80A LPT IC IRL81a
    Text: LPT 80 A NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor 16.51 16.00 1.52 1.29 1.14 2.54 2.03 Collector 2.34 2.08 0.64 0.46 4.57 4.32 2.54mm spacing 1.52 5.84 5.59 LPT 80 A 1.70 1.45 1.52 Plastic marking R = 0.76 feo06391 0.64 0.46 GEO06391 Approx. weight 0.2 g


    Original
    PDF feo06391 GEO06391 OHF00344 OHF00342 OHF00345 LPT 80 A GEO06391 OHFD1422 Q68000-A7852 IRL80A LPT IC IRL81a

    GEO06391

    Abstract: OHFD1422 Q68000-A7852 IRL81
    Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor LPT 80 A Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit • Passend zu IRED IRL 80 A, IRL 81 A


    Original
    PDF Q68000-A7852 OHF00345 GEO06391 GEO06391 OHFD1422 Q68000-A7852 IRL81

    foto transistor

    Abstract: phototransistor 500-600 nm GEO06391 OHFD1422 Q68000-A7852 LPT 80 A
    Text: LPT 80 A NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor 16.51 16.00 1.52 1.29 1.14 2.54 2.03 Collector 2.34 2.08 0.64 0.46 4.57 4.32 2.54mm spacing 1.52 5.84 5.59 LPT 80 A 1.70 1.45 1.52 Plastic marking R = 0.76 feo06391 0.64 0.46 GEO06391 Approx. weight 0.2 g


    Original
    PDF feo06391 GEO06391 OHF00344 OHF00342 OHF00345 foto transistor phototransistor 500-600 nm GEO06391 OHFD1422 Q68000-A7852 LPT 80 A

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    Abstract: No abstract text available
    Text: 2008-08-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 LPT 80 A Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 450 . 1100 nm • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: 450 . 1100 nm • Gehäuse: Sidelooker, Harz


    Original
    PDF D-93055