OSRAM IR emitter IRL
Abstract: GEOY6391 OHFD1422 Q68000-A7852
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit • Passend zu IRED IRL 80 A, IRL 81 A
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Original
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Q68000-A7852
OSRAM IR emitter IRL
GEOY6391
OHFD1422
Q68000-A7852
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit
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Original
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GEOY6391
Abstract: OHFD1422 LPT80 LPT IC
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit
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Original
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Q68000A7y
GEOY6391
OHFD1422
LPT80
LPT IC
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor LPT 80 A Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit • Passend zu IRED IRL 80 A, IRL 81 A
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Original
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Q68000-A7852
Kunstst10
GEOY6391
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LPT 80 A Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit
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Original
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Q68000A7852
54-oice
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LPT 80 A
Abstract: GEO06391 OHFD1422 Q68000-A7852 IRL80A LPT IC IRL81a
Text: LPT 80 A NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor 16.51 16.00 1.52 1.29 1.14 2.54 2.03 Collector 2.34 2.08 0.64 0.46 4.57 4.32 2.54mm spacing 1.52 5.84 5.59 LPT 80 A 1.70 1.45 1.52 Plastic marking R = 0.76 feo06391 0.64 0.46 GEO06391 Approx. weight 0.2 g
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Original
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PDF
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feo06391
GEO06391
OHF00344
OHF00342
OHF00345
LPT 80 A
GEO06391
OHFD1422
Q68000-A7852
IRL80A
LPT IC
IRL81a
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GEO06391
Abstract: OHFD1422 Q68000-A7852 IRL81
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor LPT 80 A Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 470 nm bis 1080 nm • Sidelooker im Kunststoffgehäuse • Hohe Empfindlichkeit • Passend zu IRED IRL 80 A, IRL 81 A
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Original
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Q68000-A7852
OHF00345
GEO06391
GEO06391
OHFD1422
Q68000-A7852
IRL81
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foto transistor
Abstract: phototransistor 500-600 nm GEO06391 OHFD1422 Q68000-A7852 LPT 80 A
Text: LPT 80 A NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor 16.51 16.00 1.52 1.29 1.14 2.54 2.03 Collector 2.34 2.08 0.64 0.46 4.57 4.32 2.54mm spacing 1.52 5.84 5.59 LPT 80 A 1.70 1.45 1.52 Plastic marking R = 0.76 feo06391 0.64 0.46 GEO06391 Approx. weight 0.2 g
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Original
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feo06391
GEO06391
OHF00344
OHF00342
OHF00345
foto transistor
phototransistor 500-600 nm
GEO06391
OHFD1422
Q68000-A7852
LPT 80 A
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