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G marking sbd Abstract: MOSFET FOR 50HZ SWITCHING APPLICATIONS VEC2822 Text: VEC2822 Ordering number : ENA0961 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2822 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features DC / DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package	Original	PDF	VEC2822 ENA0961 A0961-6/6 G marking sbd MOSFET FOR 50HZ SWITCHING APPLICATIONS VEC2822
IT1301 Abstract: VEC2822 IT13019 Text: VEC2822 注文コード No. N A 0 9 6 1 三洋半導体データシート N VEC2822 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・DC / DC コンバータ用。	Original	PDF	VEC2822 1200mm2 O0307PE TC-00000899 A0961-1/6 IT10433 500mm2 IT1301 VEC2822 IT13019

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G marking sbd

Abstract: MOSFET FOR 50HZ SWITCHING APPLICATIONS VEC2822
Text: VEC2822 Ordering number : ENA0961 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2822 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features DC / DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package

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VEC2822 ENA0961 A0961-6/6 G marking sbd MOSFET FOR 50HZ SWITCHING APPLICATIONS VEC2822

IT1301

Abstract: VEC2822 IT13019
Text: VEC2822 注文コード No. N A 0 9 6 1 三洋半導体データシート N VEC2822 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・DC / DC コンバータ用。

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VEC2822 1200mm2 O0307PE TC-00000899 A0961-1/6 IT10433 500mm2 IT1301 VEC2822 IT13019