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    86886

    Abstract: diode sy 710 mch5846 CPH5846 MCH3309 SS10015M ss-1001
    Text: CPH5846 Ordering number : EN8688 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5846 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3309 and a Schottky Barrier Diode (SS10015M)


    Original     		PDF CPH5846 EN8688 MCH3309) SS10015M) 86886 diode sy 710 mch5846 CPH5846 MCH3309 SS10015M ss-1001

    MCH5846

    Abstract: SS10015M CPH5846 MCH3309
    Text: CPH5846 注文コード No. N 8 6 8 8 三洋半導体データシート N CPH5846 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード(SS10015M)を 1 パッケージに


    Original     		PDF CPH5846 MCH3309) SS10015M) 900mm2 N0106PE TC-00000270 IT07150 IT07152 MCH5846 SS10015M CPH5846 MCH3309