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    K30A06J3

    Abstract: TK30A06J3A toshiba K30a06j3 k30a06 transistor K30A K30A06J TK30A06J3 K30A06J3A tk30a tk30a06
    Text: K30A06J3A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type U−MOSⅢ K30A06J3A Switching Regulator Applications z Unit: mm Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 19 mΩ (typ.) z High forward transfer admittance: |Yfs| = 34 S (typ.) z Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 60 V)


    Original     		PDF TK30A06J3A K30A06J3 TK30A06J3A toshiba K30a06j3 k30a06 transistor K30A K30A06J TK30A06J3 K30A06J3A tk30a tk30a06

    K30A06J3

    Abstract: k30a06 K30A06J TK30A06J3A k30a K30A06J3A TK30A06J3
    Text: K30A06J3A 東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形 U-MOSⅢ K30A06J3A ○ スイッチングレギュレータ用 単位: mm • : RDS (ON) = 19 m Ω (標準) オン抵抗が低い。 • 順方向伝達アドミタンスが高い。: |Yfs|= 34 S (標準)


    Original     		PDF TK30A06J3A SC-67 2-10U1B K30A06J3 k30a06 K30A06J TK30A06J3A k30a K30A06J3A TK30A06J3

    K30A06J3

    Abstract: k30a06 TK30A06J3A K30A06J toshiba K30a06j3
    Text: K30A06J3A 東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形 U-MOSⅢ K30A06J3A ○ スイッチングレギュレータ用 単位: mm • : RDS (ON) = 19 m Ω (標準) オン抵抗が低い。 • 順方向伝達アドミタンスが高い。: |Yfs|= 34 S (標準)


    Original     		PDF TK30A06J3A SC-67 2-10U1B K30A06J3 k30a06 TK30A06J3A K30A06J toshiba K30a06j3