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TA-3611 Abstract: O1002 ITR10723 ITR10724 ITR10725 ITR10726 SB02-03C SBE804 Text: Ordering number : ENN7290 SBE804 Silicon Schottky Barrier Diode SBE804 30V, 200mA Rectifier [SBE804] 2.9 5 4 0.15 3 0.05 0.6 • unit : mm 1294 0.2 • Low forward voltage VF max=0.55V . Fast reverse recovery time (trr max=10ns). Composite type with 2 diodes contained in the CPH	Original	PDF	ENN7290 SBE804 200mA SBE804] SB02-03C. TA-3611 O1002 ITR10723 ITR10724 ITR10725 ITR10726 SB02-03C SBE804
FC804 Abstract: ITR10723 ITR10724 ITR10725 ITR10726 Text: 注文コード No. N 3 1 9 4 A FC804 No. N 3 1 9 4 A N2000 半導体ニューズ No.3194 とさしかえてください。 FC804 特長シリコンショットキバリアダイオード 30V, 200mA 整流素子・順電圧が低い（VF max=0.55V）。	Original	PDF	FC804 N2000 200mA FC804 SB02-03C ITR10724 ITR10723 ITR10725 ITR10723 ITR10724 ITR10725 ITR10726

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TA-3611

Abstract: O1002 ITR10723 ITR10724 ITR10725 ITR10726 SB02-03C SBE804
Text: Ordering number : ENN7290 SBE804 Silicon Schottky Barrier Diode SBE804 30V, 200mA Rectifier [SBE804] 2.9 5 4 0.15 3 0.05 0.6 • unit : mm 1294 0.2 • Low forward voltage VF max=0.55V . Fast reverse recovery time (trr max=10ns). Composite type with 2 diodes contained in the CPH

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ENN7290 SBE804 200mA SBE804] SB02-03C. TA-3611 O1002 ITR10723 ITR10724 ITR10725 ITR10726 SB02-03C SBE804

FC804

Abstract: ITR10723 ITR10724 ITR10725 ITR10726
Text: 注文コード No. N 3 1 9 4 A FC804 No. N 3 1 9 4 A N2000 半導体ニューズ No.3194 とさしかえてください。 FC804 特長シリコンショットキバリアダイオード 30V, 200mA 整流素子・順電圧が低い（VF max=0.55V）。

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FC804 N2000 200mA FC804 SB02-03C ITR10724 ITR10723 ITR10725 ITR10723 ITR10724 ITR10725 ITR10726