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2SC4519 Abstract: ITR07150 ITR07151 ITR07152 marking TT Text: Ordering number:ENN3138 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SC4519 High-Speed Switching Applications Features Package Dimensions • Adoption of FBET process. · Low collector-to-emitter saturation voltage. · High-speed switching. · Small-sized package.	Original	ENN3138 2SC4519 2018B 2SC4519] 2SC4519 ITR07150 ITR07151 ITR07152 marking TT	PDF
20IB2 Abstract: ITR07151 ITR07152 ITR07153 ITR07154 ITR07155 2SC4519 ITR07150 IC 3160 Text: 注文コード No. N 3 1 3 8 2SC4519 No. N 3 1 3 8 30100 開発ニューズ No. ※ 3160 とさしかえてください。 2SC4519 特長 NPN エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ高速度スイッチング用・FBET プロセス採用。	Original	2SC4519 500mA 2018B ITR07155 ITR07154 20IB1= --20IB2 ITR07156 20IB2 ITR07151 ITR07152 ITR07153 ITR07154 ITR07155 2SC4519 ITR07150 IC 3160	PDF

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2SC4519

Abstract: ITR07150 ITR07151 ITR07152 marking TT
Text: Ordering number:ENN3138 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SC4519 High-Speed Switching Applications Features Package Dimensions • Adoption of FBET process. · Low collector-to-emitter saturation voltage. · High-speed switching. · Small-sized package.

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ENN3138 2SC4519 2018B 2SC4519] 2SC4519 ITR07150 ITR07151 ITR07152 marking TT

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20IB2

Abstract: ITR07151 ITR07152 ITR07153 ITR07154 ITR07155 2SC4519 ITR07150 IC 3160
Text: 注文コード No. N 3 1 3 8 2SC4519 No. N 3 1 3 8 30100 開発ニューズ No. ※ 3160 とさしかえてください。 2SC4519 特長 NPN エピタキシァルプレーナ形シリコントランジスタ高速度スイッチング用・FBET プロセス採用。

Original

2SC4519 500mA 2018B ITR07155 ITR07154 20IB1= --20IB2 ITR07156 20IB2 ITR07151 ITR07152 ITR07153 ITR07154 ITR07155 2SC4519 ITR07150 IC 3160

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