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    A1208

    Abstract: RD1006LS
    Text: RD1006LS Ordering number : ENA1208 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD1006LS Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • High breakdown voltage VRRM=600V . High reliability. One-point fixing type plastic molded package facilitating easy mounting and heat dissipation.


    Original
    PDF RD1006LS ENA1208 PW100s, cycle50% A1208-3/3 A1208 RD1006LS

    rg2006

    Abstract: A1847 ENA1847 RG2006JS-SB
    Text: RG2006JS-SB Ordering number : ENA1847 SANYO Semiconductors DATA SHEET RG2006JS-SB Diffused Junction Silicon Diode Low VF • High-Speed Switching Diode Features • • • VRRM=600V trr=16ns typ. Low noise at the time of reverse recovery Specifications


    Original
    PDF ENA1847 RG2006JS-SB O-220ML SC-67, OT-186use. A1847-3/3 rg2006 A1847 ENA1847 RG2006JS-SB

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: RD1006LS-SB5 Ordering number : ENA1608 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD1006LS-SB5 Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=600V . High reliability. Easy to be mounted, good heat dissipation.


    Original
    PDF RD1006LS-SB5 ENA1608 A1608-3/3

    RG2006

    Abstract: RG2006n RG2006JN to220ml ENA1784 A1784
    Text: RG2006JN Ordering number : ENA1784 SANYO Semiconductors DATA SHEET RG2006JN Diffused Junction Silicon Diode Low VF • High-Speed Switching Diode Features • • • VRRM=600V trr=16ns typ. Low noise at the time of reverse recovery Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C


    Original
    PDF RG2006JN ENA1784 PW100s, cycle50% A1784-3/3 RG2006 RG2006n RG2006JN to220ml ENA1784 A1784

    A1442

    Abstract: A1442-3 A-1442
    Text: RD1006LN 注文コード No. N A 1 4 4 2 三洋半導体データシート N RD1006LN シリコン拡散接合型 低 VF・高速スイッチングダイオード 特長 ・高耐圧である VRRM=600V 。 ・高信頼性である。 ・取り付け作業性放熱性が良い。


    Original
    PDF RD1006LN 51309SA TC-00001965 A1442-1/3 IT13677 IT14509 IT13676 IT13678 A1442 A1442-3 A-1442

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: RD1006LS-SB5 Ordering number : ENA1608 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD1006LS-SB5 Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=600V . High reliability. Easy to be mounted, good heat dissipation.


    Original
    PDF RD1006LS-SB5 ENA1608 A1608-3/3

    A1608

    Abstract: RD1006
    Text: RD1006LS-SB5 注文コード No. N A 1 6 0 8 三洋半導体データシート N RD1006LS-SB5 シリコン拡散接合型 超高速スイッチングダイオード 特長 ・高耐圧である VRRM=600V 。 ・高信頼性である。 ・取り付け作業性放熱性が良い。


    Original
    PDF RD1006LS-SB5 N1109SA TC-00002179 A1608-1/3 IT13677 IT14499 IT13676 IT13678 A1608-2/3 A1608 RD1006

    RG2006

    Abstract: RG2006ln A1434-1
    Text: RG2006LN 注文コード No. N A 1 4 3 4 A 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA1434 をさしかえてください。 RG2006LN シリコン拡散接合型 低 VF・高速スイッチングダイオード 特長 ・高耐圧である VRRM=600V 。


    Original
    PDF RG2006LN NA1434 IT13677 IT14499 IT14498 IT13678 A1434-2/3 A1434-3/3 RG2006 RG2006ln A1434-1

    A1208

    Abstract: A12081 RD1006LS
    Text: RD1006LS 注文コード No. N A 1 2 0 8 三洋半導体データシート N RD1006LS シリコン拡散接合型 超高速スイッチングダイオード 特長 ・高耐圧である VRRM=600V 。 ・高信頼性である。 ・取り付け作業性放熱性が良い。


    Original
    PDF RD1006LS 82708SA TC-00001550 A1208-1/3 IT13677 IT13679 IT13676 IT13678 A1208 A12081 RD1006LS

    RD1006LS-SB

    Abstract: No abstract text available
    Text: RD1006LS-SB5 Ordering number : ENA1608 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD1006LS-SB5 Diffused Junction Silicon Diode Ultrahigh-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=600V . High reliability. Easy to be mounted, good heat dissipation.


    Original
    PDF RD1006LS-SB5 ENA1608 A1608-3/3 RD1006LS-SB

    a1442

    Abstract: RD1006 transistor a1442
    Text: RD1006LN Ordering number : ENA1442 SANYO Semiconductors DATA SHEET RD1006LN Diffused Junction Silicon Diode Low VF • High-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=600V . High reliability. One-point fixing type plastic molded package facilitating easy mounting and heat dissipation.


    Original
    PDF RD1006LN ENA1442 A1442-3/3 a1442 RD1006 transistor a1442

    RG2006

    Abstract: A1434-1 TC-00002137 ENA1434A
    Text: RG2006LN Ordering number : ENA1434A SANYO Semiconductors DATA SHEET RG2006LN Diffused Junction Silicon Diode Low VF • High-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=600V . High reliability. One-point fixing type plastic mold package facilitating easy mounting and heat dissipation.


    Original
    PDF RG2006LN ENA1434A PW100s, cycle50% A1434-3/3 RG2006 A1434-1 TC-00002137 ENA1434A

    RG2006

    Abstract: ENA1434 A1434-1 VRRM600V
    Text: RG2006LN Ordering number : ENA1434 SANYO Semiconductors DATA SHEET RG2006LN Diffused Junction Silicon Diode Low VF • High-Speed Switching Diode Features • • • • • High breakdown voltage VRRM=600V . High reliability. One-point fixing type plastic mold package facilitating easy mounting and heat dissipation.


    Original
    PDF RG2006LN ENA1434 A1434-3/3 RG2006 ENA1434 A1434-1 VRRM600V

    RG2006

    Abstract: RG2006n RG2006JN A1784 TO-220ML VRRM600V
    Text: RG2006JN 注文コード No. N A 1 7 8 4 三洋半導体データシート N RG2006JN シリコン拡散接合型 低 VF・高速スイッチングダイオード 特長 ・VRRM=600V ・trr=16ns typ. ・逆回復時のノイズが小さい 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃


    Original
    PDF RG2006JN O-220ML SC-67, OT186A RG2006 63010SA IT13677 IT14499 RG2006 RG2006n RG2006JN A1784 TO-220ML VRRM600V