HK-12S120-1010
Abstract: tn8d51a 4 FB TN8D51 IT1326
Text: TN8D51A 注文コード No. N A 0 9 8 5 三洋半導体データシート N TN8D51A Excellent-Performance Power & RF Device 他励型降圧スイッチングレギュレータ 12V 出力 特長 ・高効率(オン抵抗 80mΩ, 縦型 P-ch パワ− MOSFET)。
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Original
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PDF
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TN8D51A
90308IQ
TC-00001590
A0985-1/10
IT12701
IT12702
A0985-8/10
HK-12S120-1010
tn8d51a
4 FB
TN8D51
IT1326
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: TN8D51A Ordering number : ENA0985 SANYO Semiconductors DATA SHEET ExPD Excellent-Performance Power & RF Device TN8D51A Separately-Excited Step-Down Switching Regulator (12V Output type) Features • • • • • • High efficiency (ON resistance 80mΩ, Vertical-type P-ch Power MOSFET).
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Original
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PDF
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TN8D51A
ENA0985
A0985-11/11
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tn8d51a
Abstract: HK-12S120-1010 switching regulator 12v nippon kze 2wl1 IT1326
Text: TN8D51A Ordering number : ENA0985 SANYO Semiconductors DATA SHEET ExPD Excellent-Performance Power & RF Device TN8D51A Separately-Excited Step-Down Switching Regulator (12V Output type) Features • • • • • • High efficiency (ON resistance 80mΩ, Vertical-type P-ch Power MOSFET).
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Original
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PDF
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TN8D51A
ENA0985
A0985-11/11
tn8d51a
HK-12S120-1010
switching regulator 12v
nippon kze
2wl1
IT1326
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a1044
Abstract: A1044-1 A10441
Text: SCH2311 Ordering number : ENA1044 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET SCH2311 General-Purpose Switching Device Applications Features • • 4V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.
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Original
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PDF
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SCH2311
ENA1044
PW10s,
900mm20
A1044-4/4
a1044
A1044-1
A10441
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: MCH6655 Ordering number : ENA1043 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET MCH6655 General-Purpose Switching Device Applications Features • • 4V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.
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Original
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PDF
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MCH6655
ENA1043
PW10s,
900mm20
A1043-4/4
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A1039
Abstract: A10391 6hp04 6HP04CH A10393
Text: 6HP04CH Ordering number : ENA1039 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET 6HP04CH General-Purpose Switching Device Applications Features • 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage
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Original
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PDF
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6HP04CH
ENA1039
PW10s,
900mm20
A1039-4/4
A1039
A10391
6hp04
6HP04CH
A10393
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it1327
Abstract: A1044 A1044-1 A10441
Text: SCH2311 注文コード No. N A 1 0 4 4 三洋半導体データシート N SCH2311 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・4V 駆動。 ・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。
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Original
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PDF
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SCH2311
900mm2
--30V
--120mA
IT10873
900mm2
IT13272
it1327
A1044
A1044-1
A10441
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A1043
Abstract: No abstract text available
Text: MCH6655 注文コード No. N A 1 0 4 3 三洋半導体データシート N MCH6655 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・4V 駆動。 ・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。
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Original
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PDF
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MCH6655
900mm2
--30V
--120mA
IT10873
900mm2
IT13271
A1043
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