2SJ413
Abstract: tr1007 J413
Text: 2SJ413 Ordering number : EN5366B SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET 2SJ413 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. Low-voltage drive. Micaless package facilitating mounting.
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Original
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2SJ413
EN5366B
2SJ413
tr1007
J413
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idp-200a d
Abstract: tr1007 2SJ413 J413
Text: 2SJ413 注文コード No. N 5 3 6 6 B 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N5366A をさしかえてください。 2SJ413 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。
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Original
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2SJ413
N5366A
IT11798
IT11799
IT11800
IT11801
idp-200a d
tr1007
2SJ413
J413
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MCH3435
Abstract: MCH5834 SS0503SH IT1180
Text: MCH5834 注文コード No. N A 0 5 5 8 三洋半導体データシート N MCH5834 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタ MCH3435 とショットキバリアダイオード(SS0503SH)を 1 パッケージに
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Original
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MCH5834
MCH3435)
SS0503SH)
900mm2
N0806PE
TC-0000259
A0558-1/6
IT11802
MCH3435
MCH5834
SS0503SH
IT1180
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n2206
Abstract: it1181 it11811 VEC2408
Text: VEC2408 注文コード No. N A 0 5 6 7 三洋半導体データシート N VEC2408 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・ロードスイッチング用途に最適。 ・低オン抵抗。
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Original
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VEC2408
900mm2
IT11811
900mm2
IT11812
IT11813
A0567-4/4
n2206
it1181
it11811
VEC2408
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n2206
Abstract: VEC2408 it11811
Text: VEC2408 Ordering number : ENA0567 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET VEC2408 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • The best suited for load switching applications. Low ON-resistance. Composite type facilitating high-density mounting.
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Original
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VEC2408
ENA0567
900mm20
A0567-4/4
n2206
VEC2408
it11811
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2SJ413
Abstract: en5366 J413
Text: 2SJ413 Ordering number : EN5366B SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET 2SJ413 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. Low-voltage drive. Micaless package facilitating mounting.
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Original
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2SJ413
EN5366B
2SJ413
en5366
J413
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MCH3435
Abstract: MCH5834 SS0503SH
Text: MCH5834 Ordering number : ENA0558 SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5834 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with an N-channel silicon MOSFET MCH3435 and a schottky barrier diode (SS0503SH)
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Original
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MCH5834
ENA0558
MCH3435)
SS0503SH)
A0558-6/6
MCH3435
MCH5834
SS0503SH
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