SS1001
Abstract: MCH5837 mosfet yb SS10015M TA72
Text: MCH5837 Ordering number : ENA0781 SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5837 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an N-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode SS10015M
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Original
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PDF
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MCH5837
ENA0781
SS10015M)
A0781-6/6
SS1001
MCH5837
mosfet yb
SS10015M
TA72
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MCH6646
Abstract: MARKING WW
Text: MCH6646 Ordering number : ENA0112 N-Channel Silicon MOSFET MCH6646 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.
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Original
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PDF
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MCH6646
ENA0112
900mm2
A0112-4/4
MCH6646
MARKING WW
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MCH6646
Abstract: IT10338
Text: MCH6646 注文コード No. N A 0 1 1 2 MCH6646 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・1.8V 駆動。 ・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。
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Original
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PDF
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MCH6646
900mm2
IT10334
900mm2
IT10337
A0112-3/4
IT10338
A0112-4/4
MCH6646
IT10338
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SS1001
Abstract: ENA0781A MCH5837 SS10015M
Text: MCH5837 Ordering number : ENA0781A SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5837 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an N-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode SS10015M
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Original
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MCH5837
ENA0781A
SS10015M)
A0781-6/6
SS1001
ENA0781A
MCH5837
SS10015M
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yb 27 BR MOSFET
Abstract: MCH5837 SS10015M SS1001 A0781
Text: MCH5837 注文コード No. N A 0 7 8 1 A 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA0781 をさしかえてください。 MCH5837 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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MCH5837
NA0781
SS10015M)
900mm2
41807PE
TC-00000616
A0781-1/6
IT07150
yb 27 BR MOSFET
MCH5837
SS10015M
SS1001
A0781
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