CPH5847
Abstract: 86-89-2
Text: CPH5847 注文コード No. N 8 6 8 9 三洋半導体データシート N CPH5847 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵した複合タイプ
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Original
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PDF
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CPH5847
900mm2
82505PE
TB-00001763
IT09559
IT09557
IT09556
ID00435
CPH5847
86-89-2
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SS1003M3
Abstract: No abstract text available
Text: SS1003M3 Ordering number : EN8372A SANYO Semiconductors DATA SHEET SS1003M3 Schottky Barrier Diode 30V, 1.0A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • • Low switching noise. Low forward voltage (IF=1.0A, VF max=0.43V).
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Original
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PDF
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SS1003M3
EN8372A
SS1003M3
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VR 100K
Abstract: SS1003M3 ID00435 VR100K
Text: SS1003M3 注文コード No. N 8 3 7 2 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N8372 をさしかえてください。 SS1003M3 ショットキバリアダイオード 30V1.0A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。
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Original
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PDF
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SS1003M3
N8372
100mA,
72mm2
500mm
62797GI
TB-00001532
IT09557
IT09559
VR 100K
SS1003M3
ID00435
VR100K
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SS1003M3
Abstract: No abstract text available
Text: SS1003M3 Ordering number : ENN8372 SS1003M3 Schottky Barrier Diode 30V, 1.0A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • • Low switching noise. Low forward voltage (IF=0.35mA, VF max=0.43V).
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Original
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PDF
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SS1003M3
ENN8372
SS1003M3
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marking .xz
Abstract: CPH5847
Text: CPH5847 Ordering number : EN8689 CPH5847 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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PDF
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CPH5847
EN8689
marking .xz
CPH5847
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