MCH6423
Abstract: TA72
Text: MCH6423 注文コード No. N 8 9 4 4 三洋半導体データシート N MCH6423 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・4V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
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Original
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PDF
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MCH6423
1200mm2
IT07441
IT07440
1200mm2
IT10108
IT10109
MCH6423
TA72
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SCH1410
Abstract: No abstract text available
Text: SCH1410 注文コード No. N 8 9 8 4 三洋半導体データシート N SCH1410 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。
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Original
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PDF
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SCH1410
900mm2
IT02726
900mm2
IT10060
IT10061
SCH1410
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SCH1410
Abstract: No abstract text available
Text: SCH1410 Ordering number : EN8984 N-Channel Silicon MOSFET SCH1410 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. High-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions
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Original
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PDF
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SCH1410
EN8984
900mm2
SCH1410
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CPH5847
Abstract: 86-89-2
Text: CPH5847 注文コード No. N 8 6 8 9 三洋半導体データシート N CPH5847 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵した複合タイプ
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Original
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PDF
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CPH5847
900mm2
82505PE
TB-00001763
IT09559
IT09557
IT09556
ID00435
CPH5847
86-89-2
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MCH6423
Abstract: No abstract text available
Text: MCH6423 Ordering number : EN8944 N-Channel Silicon MOSFET MCH6423 General-Purpose Switching Device Applications Features • 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage VDSS
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Original
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PDF
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MCH6423
EN8944
1200mm2
MCH6423
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marking .xz
Abstract: CPH5847
Text: CPH5847 Ordering number : EN8689 CPH5847 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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PDF
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CPH5847
EN8689
marking .xz
CPH5847
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