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MCH3335 Abstract: MCH5810 SBS011 Text: MCH5810 Ordering number : ENN8194 MCH5810 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • • • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3335 and a Schottky Barrier Diode (SBS011) contained in one package facilitating high-density mounting.	Original	PDF	MCH5810 ENN8194 MCH3335) SBS011) MCH3335 MCH5810 SBS011
MCH3335 Abstract: MCH5810 SBS011 Text: MCH5810 注文コード No. N 8 1 9 4 三洋半導体データシート N MCH5810 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用特長・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3335）	Original	PDF	MCH5810 MCH3335 SBS011 900mm2 12505PE TB-00001111 IT08704 IT08703 MCH3335 MCH5810

Catalog Datasheet

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MCH3335

Abstract: MCH5810 SBS011
Text: MCH5810 Ordering number : ENN8194 MCH5810 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • • • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3335 and a Schottky Barrier Diode (SBS011) contained in one package facilitating high-density mounting.

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MCH5810 ENN8194 MCH3335) SBS011) MCH3335 MCH5810 SBS011

MCH3335

Abstract: MCH5810 SBS011
Text: MCH5810 注文コード No. N 8 1 9 4 三洋半導体データシート N MCH5810 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用特長・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3335）

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MCH5810 MCH3335 SBS011 900mm2 12505PE TB-00001111 IT08704 IT08703 MCH3335 MCH5810