VEC2803
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2803 Ordering number : ENN8202 VEC2803 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features DC/DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package
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Original
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VEC2803
ENN8202
VEC2803
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VEC2803
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2803 注文コード No. N 8 2 0 2 三洋半導体データシート N VEC2803 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。
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Original
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VEC2803
900mm2
12505PE
TB-00001017
IT08214
IT08216
IT07948
VEC2803
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MCH3335
Abstract: MCH5810 SBS011
Text: MCH5810 Ordering number : ENN8194 MCH5810 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • • • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3335 and a Schottky Barrier Diode (SBS011) contained in one package facilitating high-density mounting.
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Original
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MCH5810
ENN8194
MCH3335)
SBS011)
MCH3335
MCH5810
SBS011
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CPH6610
Abstract: MCH3335 CPH6610 marking
Text: CPH6610 Ordering number : ENN8167 CPH6610 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs Load Switching Applications Features • • The CPH6610 incorporates a P-channel MOSFET MCH3335 and an N-channel MOSFET that feature low ON-resistance and ultrahigh-speed switching, thereby enabling high-density mounting.
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Original
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CPH6610
ENN8167
CPH6610
MCH3335)
MCH3335
CPH6610 marking
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CPH6613
Abstract: MARKING FZ
Text: CPH6613 Ordering number : ENN8182 CPH6613 N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. Composite type with two MOSFETs contained in a single package facilitating high-density mounting.
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Original
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CPH6613
ENN8182
900mm2
15Ltd.
CPH6613
MARKING FZ
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marking ZY
Abstract: MCH3447
Text: MCH3447 Ordering number : ENN8200 N-Channel Silicon MOSFET MCH3447 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol
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Original
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MCH3447
ENN8200
900mm2
marking ZY
MCH3447
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CPH6613
Abstract: No abstract text available
Text: CPH6613 注文コード No. N 8 1 8 2 三洋半導体データシート N CPH6613 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・1.8V 駆動。
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Original
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PDF
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CPH6613
900mm2
900mm2
IT07191
IT07192
CPH6613
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CPH6610
Abstract: MCH3335 MCH3408
Text: CPH6610 注文コード No. N 8 1 6 7 三洋半導体データシート N CPH6610 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ ロードスイッチング用 特長 ・低オン抵抗超高速スイッチングの P チャネル MCH3335 および N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ
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Original
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CPH6610
MCH3335)
MCH3408)
900mm2
700mA
700mA,
400mA,
IT08165
900mm2
CPH6610
MCH3335
MCH3408
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ECH8616
Abstract: No abstract text available
Text: ECH8616 Ordering number : ENN8191 N-Channel Silicon MOSFET ECH8616 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Composite type, facilitating high-density mounting. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
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Original
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ECH8616
ENN8191
900mm2
ECH8616
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MCH3335
Abstract: MCH5810 SBS011
Text: MCH5810 注文コード No. N 8 1 9 4 三洋半導体データシート N MCH5810 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3335）
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Original
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MCH5810
MCH3335
SBS011
900mm2
12505PE
TB-00001111
IT08704
IT08703
MCH3335
MCH5810
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