SCH1311
Abstract: 2221A IT0815
Text: SCH1311 Ordering number : ENN8102 P-Channel Silicon MOSFET SCH1311 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol
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Original
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PDF
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SCH1311
ENN8102
900mm2
SCH1311
2221A
IT0815
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SCH1304
Abstract: No abstract text available
Text: SCH1304 Ordering number : ENN8100 P-Channel Silicon MOSFET SCH1304 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol
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Original
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PDF
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SCH1304
ENN8100
900mm2
SCH1304
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SCH1404
Abstract: No abstract text available
Text: SCH1404 注文コード No. N 8 1 0 3 三洋半導体データシート N SCH1404 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。
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Original
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PDF
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SCH1404
900mm2
IT02946
900mm2
IT08156
IT08147
SCH1404
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SCH1411
Abstract: No abstract text available
Text: SCH1411 注文コード No. N 8 1 0 4 三洋半導体データシート N SCH1411 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・高速スイッチング。 ・4V 駆動。
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Original
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PDF
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SCH1411
900mm2
IT02715
IT02713
900mm2
IT08159
IT08147
SCH1411
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MARKING KL
Abstract: SCH1411
Text: SCH1411 Ordering number : ENN8104 N-Channel Silicon MOSFET SCH1411 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. High-speed switching. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions
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Original
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PDF
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SCH1411
ENN8104
900mm2
MARKING KL
SCH1411
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SCH1404
Abstract: 81031 marking kd
Text: SCH1404 Ordering number : ENN8103 N-Channel Silicon MOSFET SCH1404 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol
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Original
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PDF
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SCH1404
ENN8103
900mm2
SCH1404
81031
marking kd
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SCH1306
Abstract: No abstract text available
Text: SCH1306 Ordering number : ENN8101 P-Channel Silicon MOSFET SCH1306 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol
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Original
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PDF
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SCH1306
ENN8101
900mm2
SCH1306
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SCH1306
Abstract: No abstract text available
Text: SCH1306 注文コード No. N 8 1 0 1 三洋半導体データシート N SCH1306 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。
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Original
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PDF
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SCH1306
900mm2
500mA
500mA,
300mA,
--10V
IT03507
900mm2
SCH1306
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SCH1311
Abstract: No abstract text available
Text: SCH1311 注文コード No. N 8 1 0 2 三洋半導体データシート N SCH1311 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。
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Original
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PDF
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SCH1311
900mm2
IT02749
IT02748
--15V
--10V
IT02746
900mm2
IT08153
SCH1311
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SCH1304
Abstract: No abstract text available
Text: SCH1304 注文コード No. N 8 1 0 0 三洋半導体データシート N SCH1304 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。
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Original
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PDF
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SCH1304
900mm2
--10V
IT03229
900mm2
IT08150
IT08147
SCH1304
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