VEC2803
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2803 Ordering number : ENN8202 VEC2803 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features DC/DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package
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Original
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VEC2803
ENN8202
VEC2803
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VEC2803
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2803 注文コード No. N 8 2 0 2 三洋半導体データシート N VEC2803 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。
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Original
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VEC2803
900mm2
12505PE
TB-00001017
IT08214
IT08216
IT07948
VEC2803
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diode sy 710
Abstract: VEC2814
Text: VEC2814 Ordering number : ENA0390B SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2814 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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VEC2814
ENA0390B
A0390-6/6
diode sy 710
VEC2814
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"Marking SC"
Abstract: SS1003M
Text: SS1003M Ordering number : ENN8347 SS1003M Schottky Barrier Diode 30V, 1A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • • Small Switching noise. Low forward voltage(IF=500mA, VF max=0.39V) (IF=1A, VF max=0.45V).
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Original
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SS1003M
ENN8347
500mA,
"Marking SC"
SS1003M
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VEC2812
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2812 注文コード No. N A 0 3 9 2 三洋半導体データシート N VEC2812 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。
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Original
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PDF
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VEC2812
900mm2
N0806PE
TC-00000280
A0392-1/5
IT08214
IT08216
IT07948
VEC2812
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2814 Ordering number : ENA0390 VEC2814 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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PDF
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VEC2814
ENA0390
A0390-6/6
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VEC2814
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2814 Ordering number : ENA0390A SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2814 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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PDF
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VEC2814
ENA0390A
A0390-6/6
VEC2814
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VEC2814
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2814 注文コード No. N A 0 3 9 0 B 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA0390A をさしかえてください。 VEC2814 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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VEC2814
NA0390A
900mm2
N0106
TC-00000301
42506PE
TB-00002243
A0390-1/6
N1407
VEC2814
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SS1003M
Abstract: No abstract text available
Text: SS1003M 注文コード No. N 8 3 4 7 三洋半導体データシート N SS1003M ショットキバリアダイオード 30V1A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。
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Original
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PDF
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SS1003M
30V1A
500mA,
500mA
100mA,
600mm2
62797GI
TB-00001441
61005SB
SS1003M
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VEC2812
Abstract: No abstract text available
Text: VEC2812 Ordering number : ENA0392 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2812 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • DC / DC converter. Composite type with an N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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PDF
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VEC2812
ENA0392
A0392-6/6
VEC2812
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