w803
Abstract: FW803
Text: FW803 Ordering number : ENA0652 SANYO Semiconductors DATA SHEET N-Channel Silicon MOSFET FW803 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. 4V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.
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Original
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PDF
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FW803
ENA0652
1200mm20
PW10s
A0652-4/4
w803
FW803
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FW803
Abstract: w803 A0652
Text: FW803 注文コード No. N A 0 6 5 2 三洋半導体データシート N FW803 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・4V 駆動。 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能。
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Original
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PDF
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FW803
1200mm2
IT10017
1200mm2
PW10s
IT07598
FW803
w803
A0652
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FSS802
Abstract: No abstract text available
Text: FSS802 注文コード No. N 8 0 4 4 三洋半導体データシート N FSS802 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・4V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
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Original
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PDF
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FSS802
1200mm2
IT07985
IT04083
1200mm
IT07598
IT04085
FSS802
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FSS802
Abstract: No abstract text available
Text: FSS802 Ordering number : ENN8044 N-Channel Silicon MOSFETs FSS802 General-Purpose Switching Device Applications Features • • Low ON-resistance. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage
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Original
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PDF
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FSS802
ENN8044
1200mm2
PW10s
PW10s)
FSS802
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FSS802
Abstract: ATI 12A - 11 TA72 ID12A
Text: FSS802 注文コード No. N 8 0 4 4 FSS802 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・4V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ 項目 記号
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Original
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PDF
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FSS802
1200mm2
IT07985
IT04083
1200mm
IT07598
IT04085
FSS802
ATI 12A - 11
TA72
ID12A
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