2SJ646
Abstract: No abstract text available
Text: 2SJ646 注文コード No. N 8 2 8 2 三洋半導体データシート N 2SJ646 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。
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Original
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2SJ646
--10V
IT09667
IT09670
IT09671
IT09672
2SJ646
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PDF
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IT06907
Abstract: 2SJ646
Text: 2SJ646 注文コード No. N 8 2 8 2 2SJ646 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
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Original
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2SJ646
--10V
IT09667
IT09670
IT09671
IT09672
IT06907
2SJ646
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MCH6306P
Abstract: MCH6306
Text: MCH6306 注文コード No. N 7 7 1 6 MCH6306 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・4V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
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Original
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MCH6306
900mm2
IT06907
IT04496
900mm2
IT06908
--10V
IT06909
MCH6306P
MCH6306
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MCH6306
Abstract: ENN7
Text: MCH6306 Ordering number : ENN7716 MCH6306 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol
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Original
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MCH6306
ENN7716
900mm2
MCH6306
ENN7
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PDF
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2SJ646
Abstract: No abstract text available
Text: 2SJ646 Ordering number : ENN8282 P-Channel Silicon MOSFET 2SJ646 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol
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Original
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2SJ646
ENN8282
2SJ646
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PDF
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