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    IT06418 Search Results

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    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: Ordering number : ENN7647 VEC2301 P-Channel Silicon MOSFET VEC2301 General-Purpose Switching Device Applications Preliminary • • unit : mm 2227 [VEC2301] Bottom View Top View 0.3 8 0.25 2.8 • Best suited for load switches. Low ON-resistance. 2.5V drive.


    Original
    PDF ENN7647 VEC2301 VEC2301]

    A1045

    Abstract: No abstract text available
    Text: VEC2905 注文コード No. N A 1 0 4 5 三洋半導体データシート N VEC2905 PNP エピタキシァルプレーナ型シリコントランジスタ P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス


    Original
    PDF VEC2905 900mm2 20608PE TC-00001176 A1045-1/6 IT06424 --12A A1045

    transistor A1045

    Abstract: FET MARKING QG tr fet 1A tr fet 2A RL66
    Text: VEC2905 Ordering number : ENA1045 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2905 PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • • Composite type, facilitatiing high-density mounting. Mounting height 0.75mm.


    Original
    PDF VEC2905 ENA1045 A1045-6/6 transistor A1045 FET MARKING QG tr fet 1A tr fet 2A RL66

    A01042

    Abstract: VEC2610 a0104 A0104-5 3am10
    Text: VEC2610 注文コード No. N A 0 1 0 4 三洋半導体データシート N VEC2610 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・インバータ用途に最適。 ・低オン抵抗の N チャネルおよび P チャネル MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した


    Original
    PDF VEC2610 900mm2 IT08609 IT08607 900mm2 IT10216 IT10217 A01042 VEC2610 a0104 A0104-5 3am10

    VEC2610

    Abstract: INVERTER BOARD SANYO TB A0104-5
    Text: VEC2610 Ordering number : ENA0104 VEC2610 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • The best suited for inverter applications. The VEC2610 incorporates an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET that feature low ON-resistance,


    Original
    PDF VEC2610 ENA0104 VEC2610 A0104-6/6 INVERTER BOARD SANYO TB A0104-5

    VEC2301

    Abstract: No abstract text available
    Text: 注文コード No. N 7 6 4 7 VEC2301 三洋半導体データシート N VEC2301 特長 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス ・ロードスイッチング用途に最適 ・低オン抵抗。


    Original
    PDF VEC2301 900mm2 --10V IT06418 900mm2 IT06425 VEC2301