Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN7472 SBS010M Schottky Barrier Diode SBS010M 15V, 2A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit : mm 1305A [SBS010M] 0.15 2 1 0.65 0.07 1.6 3 0.25 • Low forward voltage (IF=0.5A, VF max=0.32V)
|
Original
|
PDF
|
ENN7472
SBS010M
SBS010M]
|
N7472
Abstract: SBS010M
Text: SBS010M 注文コード No. N 7 4 7 2 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N7472 とさしかえてください。 SBS010M ショットキバリアダイオード 15V, 2A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。
|
Original
|
PDF
|
SBS010M
N7472
100mA,
600mm2
TB-00001016
TA-100516
IT05881
IT05882
IT08545
N7472
SBS010M
|
CPH5835
Abstract: MCH3309 MCH5835 SBS010M
Text: CPH5835 注文コード No. N 8 2 0 7 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5835 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード( SBS010M)を 1 パッケージに
|
Original
|
PDF
|
CPH5835
MCH3309)
SBS010M)
600mm2
12805PE
TB-00001006
IT05882
IT05881
CPH5835
MCH3309
MCH5835
SBS010M
|
82074
Abstract: CPH5835 MCH3309 MCH5835 SBS010M
Text: CPH5835 注文コード No. N 8 2 0 7 三洋半導体データシート N CPH5835 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード( SBS010M)を 1 パッケージに
|
Original
|
PDF
|
CPH5835
MCH3309)
SBS010M)
600mm2
12805PE
TB-00001006
IT05882
IT05881
82074
CPH5835
MCH3309
MCH5835
SBS010M
|
SBS010M
Abstract: No abstract text available
Text: SBS010M Ordering number : ENN7472A SBS010M Schottky Barrier Diode 15V, 2A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • Low forward voltage (IF=0.5A, VF max=0.32V) (IF=1.0A, VF max=0.35V).
|
Original
|
PDF
|
SBS010M
ENN7472A
SBS010M
|
N7472
Abstract: SBS010M
Text: SBS010M 注文コード No. N 7 4 7 2 A 三洋半導体ニューズ 半導体ニューズ No. N7472 とさしかえてください。 SBS010M ショットキバリアダイオード 15V, 2A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。
|
Original
|
PDF
|
SBS010M
N7472
100mA,
600mm2
TB-00001016
TA-100516
IT05881
IT05882
IT08545
N7472
SBS010M
|
CPH3309
Abstract: CPH5835 MCH5835 SBS010M
Text: CPH5835 Ordering number : ENN8207 CPH5835 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET CPH3309 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M) contained
|
Original
|
PDF
|
CPH5835
ENN8207
CPH3309)
SBS010M)
CPH3309
CPH5835
MCH5835
SBS010M
|