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    D2011A

    Abstract: FTD2011A N7476
    Text: 注文コード No. N 7 4 7 6 FTD2011A No. N7476 22004 新 FTD2011A 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ ロード S / W 用 ・低オン抵抗。 ・2.5V 駆動。 ・実装高 1.1mm。 ・複合タイプであり高密度実装可能。


    Original     		PDF FTD2011A N7476 1300mm2 1300mm2 IT05439 IT05131 IT05440 D2011A FTD2011A N7476

    d2011a

    Abstract: 7476 d2011a datasheet FTD2011A
    Text: Ordering number : ENN7476 FTD2011A N-Channel Silicon MOSFET FTD2011A Load Switching Applications • • • • Package Dimensions Low ON-resistance. 2.5V drive. Mounting height 1.1mm. Composite type, facilitating high-density mounting. unit : mm 2155A [FTD2011A]


    Original     		PDF ENN7476 FTD2011A FTD2011A] d2011a 7476 d2011a datasheet FTD2011A

    D2011A

    Abstract: IT05130 1300mm2 FTD2011A IT05133
    Text: 注文コード No. N 7 4 7 6 FTD2011A 三洋半導体データシート N FTD2011A 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ ロード S / W 用 ・低オン抵抗。 ・2.5V 駆動。 ・実装高 1.1mm。 ・複合タイプであり高密度実装可能。


    Original     		PDF FTD2011A 1300mm2 1300mm2 IT05439 IT05131 IT05440 D2011A IT05130 FTD2011A IT05133