D2011A
Abstract: FTD2011A N7476
Text: 注文コード No. N 7 4 7 6 FTD2011A No. N7476 22004 新 FTD2011A 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ ロード S / W 用 ・低オン抵抗。 ・2.5V 駆動。 ・実装高 1.1mm。 ・複合タイプであり高密度実装可能。
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Original
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FTD2011A
N7476
1300mm2
1300mm2
IT05439
IT05131
IT05440
D2011A
FTD2011A
N7476
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O1002
Abstract: IT05136 IT05130 MCH6408 N7286
Text: 注文コード No. N 7 2 8 6 MCH6408 No. N7286 O1002 新 MCH6408 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
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Original
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MCH6408
N7286
O1002
900mm2
900mm2
IT05135
IT05136
O1002
IT05136
IT05130
MCH6408
N7286
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d2011a
Abstract: 7476 d2011a datasheet FTD2011A
Text: Ordering number : ENN7476 FTD2011A N-Channel Silicon MOSFET FTD2011A Load Switching Applications • • • • Package Dimensions Low ON-resistance. 2.5V drive. Mounting height 1.1mm. Composite type, facilitating high-density mounting. unit : mm 2155A [FTD2011A]
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Original
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ENN7476
FTD2011A
FTD2011A]
d2011a
7476
d2011a datasheet
FTD2011A
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MCH6408
Abstract: O1002
Text: Ordering number : ENN7286 MCH6408 N-Channel Silicon MOSFET MCH6408 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. unit : mm 2193A [MCH6408] 0.25 • Package Dimensions 0.3 5 6 3 2 0.65 1 0.15 1.6
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Original
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ENN7286
MCH6408
MCH6408]
MCH6408
O1002
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D2011A
Abstract: IT05130 1300mm2 FTD2011A IT05133
Text: 注文コード No. N 7 4 7 6 FTD2011A 三洋半導体データシート N FTD2011A 特長 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ ロード S / W 用 ・低オン抵抗。 ・2.5V 駆動。 ・実装高 1.1mm。 ・複合タイプであり高密度実装可能。
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Original
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FTD2011A
1300mm2
1300mm2
IT05439
IT05131
IT05440
D2011A
IT05130
FTD2011A
IT05133
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