MCH3307
Abstract: SBS004 ENN8235 2171A
Text: CPH5838 Ordering number : ENN8235 CPH5838 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • DC / DC converters. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3307 and a Schottky Barrier Diode (SBS004)
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Original
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CPH5838
ENN8235
MCH3307)
SBS004)
MCH3307
SBS004
ENN8235
2171A
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PDF
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A0780
Abstract: MCH3307 MCH5836 SS10015M a07801
Text: MCH5836 注文コード No. N A 0 7 8 0 A 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA0780 をさしかえてください。 MCH5836 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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MCH5836
NA0780
MCH3307)
SS10015M)
900mm2
41807PE
TC-00000614
A0780-1/6
A0780
MCH3307
MCH5836
SS10015M
a07801
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PDF
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MCH3307
Abstract: MCH5836 SS10015M
Text: MCH5836 Ordering number : ENA0780 SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5836 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an P-channel silicon MOSFET MCH3307 and a schottky barrier diode (SS10015M)
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Original
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MCH5836
ENA0780
MCH3307)
SS10015M)
A0780-6/6
MCH3307
MCH5836
SS10015M
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PDF
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MCH3307
Abstract: 70072
Text: Ordering number : ENN7007 MCH3307 P-Channel Silicon MOSFET MCH3307 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. unit : mm 2167A [MCH3307] 0.3 0.25 • Package Dimensions 0.15 0.25 2 1 0.65
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Original
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ENN7007
MCH3307
MCH3307]
MCH3307
70072
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SCH2822
Abstract: No abstract text available
Text: SCH2822 注文コード No. N A 0 6 6 8 三洋半導体データシート N SCH2822 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵した
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Original
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SCH2822
900mm2
22807PE
TC-00000508
A0668-1/6
IT07927
IT08178
IT06807
SCH2822
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tr1007
Abstract: MOSFET 7121
Text: Ordering number : ENN7121 CPH3317 P-Channel Silicon MOSFET CPH3317 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Package Dimensions Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. unit : mm 2152A [CPH3317] 2.9 0.15 0.6 0.4 0.2 • 3 2 1
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Original
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ENN7121
CPH3317
CPH3317]
tr1007
MOSFET 7121
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PDF
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SS1001
Abstract: MCH3307 MCH5836 SS10015M
Text: MCH5836 Ordering number : ENA0780A SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5836 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an P-channel silicon MOSFET MCH3307 and a schottky barrier diode (SS10015M)
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Original
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MCH5836
ENA0780A
MCH3307)
SS10015M)
PW10s,
A0780-6/6
SS1001
MCH3307
MCH5836
SS10015M
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PDF
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tr1007
Abstract: N7007 MCH3307
Text: 注文コード No. N 7 0 0 7 MCH3307 No. N7007 71801 新 MCH3307 特長 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 超高速スイッチング用 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
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Original
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MCH3307
N7007
900mm2
500mA
500mA,
300mA,
IT03507
--10V
900mm2
tr1007
N7007
MCH3307
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PDF
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SCH2830
Abstract: A08615 IT12618
Text: SCH2830 注文コード No. N A 0 8 6 1 三洋半導体データシート N SCH2830 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵した
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Original
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SCH2830
900mm2
72mm2
62707PE
TC-00000761
A0861-1/6
IT10260
SCH2830
A08615
IT12618
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PDF
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SCH1306
Abstract: No abstract text available
Text: SCH1306 Ordering number : ENN8101 P-Channel Silicon MOSFET SCH1306 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol
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Original
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SCH1306
ENN8101
900mm2
SCH1306
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PDF
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2171a
Abstract: MCH3307 SBS004 CPH5838
Text: CPH5838 注文コード No. N 8 2 3 5 三洋半導体データシート N CPH5838 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。
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Original
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CPH5838
MCH3307
SBS004
600mm2
22805PE
TB-00001210
IT00624
IT00623
2171a
MCH3307
CPH5838
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PDF
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SCH2830
Abstract: No abstract text available
Text: SCH2830 Ordering number : ENA0861 SANYO Semiconductors DATA SHEET SCH2830 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a P-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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SCH2830
ENA0861
A0861-6/6
SCH2830
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PDF
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SCH1306
Abstract: No abstract text available
Text: SCH1306 注文コード No. N 8 1 0 1 三洋半導体データシート N SCH1306 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。
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Original
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SCH1306
900mm2
500mA
500mA,
300mA,
--10V
IT03507
900mm2
SCH1306
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PDF
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SCH2822
Abstract: marking qx
Text: SCH2822 Ordering number : ENA0668 SANYO Semiconductors DATA SHEET SCH2822 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a P-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package
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Original
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SCH2822
ENA0668
A0668-6/6
SCH2822
marking qx
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PDF
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