SBS004M
Abstract: marking SA
Text: Ordering number : ENN6907 SBS004M Schottky Barrier Diode SBS004M 15V, 1A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit : mm 1305 0.15 1 2.1 3 1.6 • 0.3 Low forward voltage (IF=0.5A, VF max=0.35V)
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Original
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PDF
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ENN6907
SBS004M
SBS004M]
SBS004M
marking SA
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN6907 SBS004M Schottky Barrier Diode SBS004M 15V, 1A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit : mm 1305 0.15 1 2.1 3 1.6 • 0.3 Low forward voltage (IF=0.5A, VF max=0.35V)
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Original
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ENN6907
SBS004M
SBS004M]
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1305A
Abstract: SS05015M
Text: SS05015M Ordering number : ENN8066 SS05015M Schottky Barrier Diode 15V, 500mA Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • Low forward voltage (IF=0.3A, VF max=0.4V) (IF=0.5A, VF max=0.45V).
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Original
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SS05015M
ENN8066
500mA
1305A
SS05015M
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7382
Abstract: CPH5820 D2503 MCH3308 SBS006M
Text: Ordering number : ENN7382 CPH5820 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5820 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3308 and a Schottky Barrier Diode (SBS006M) 2171
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Original
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ENN7382
CPH5820
MCH3308)
SBS006M)
CPH5820]
7382
CPH5820
D2503
MCH3308
SBS006M
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CPH5815
Abstract: MCH3317 SBS007M
Text: Ordering number : ENN7381 CPH5815 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5815 DC / DC Converter Applications 4 0.15 3 0.6 5 0.2 [CPH5815] 2.9 0.05 1 2 0.95 0.4 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode 0.9 0.7 0.2 • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET
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Original
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ENN7381
CPH5815
CPH5815]
MCH3317)
SBS007M)
CPH5815
MCH3317
SBS007M
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CPH5804
Abstract: MCH3312 SBS006M IT03222
Text: 注文コード No. N 6 9 8 0 CPH5804 No. N 6 9 8 0 62001 新 CPH5804 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ
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Original
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PDF
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CPH5804
MCH3312)
SBS006M
600mm2
IT00633
IT00632
IT00634
IT00635
CPH5804
MCH3312
SBS006M
IT03222
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CPH5815
Abstract: MCH3317 SBS007M N2603
Text: 注文コード No. N 7 3 8 1 CPH5815 三洋半導体データシート N CPH5815 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3317）とショットキバリアダイオード（SBS007M）を
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Original
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PDF
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CPH5815
MCH3317
SBS007M
600mm2
IT02912
IT02914
IT02915
IT00636
CPH5815
MCH3317
SBS007M
N2603
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SBS007M
Abstract: 69082
Text: 注文コード No. N 6 9 0 8 SBS007M No. N6908 21001 新 SBS007M ショットキバリアダイオード 15V, 0.5A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。 特長 ・順電圧が小さい
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Original
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SBS007M
N6908
100mA,
600mm2
Duty10%
IT02954
IT02953
IT02955
IT02956
SBS007M
69082
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TA-3808
Abstract: CPH5820 D2503 MCH3308 SBS006M
Text: 注文コード No. N 7 3 8 2 CPH5820 三洋半導体データシート N CPH5820 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ
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Original
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PDF
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CPH5820
MCH3308
SBS006M
600mm2
IT00633
IT00632
IT00634
IT00635
TA-3808
CPH5820
D2503
MCH3308
SBS006M
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MCH3405
Abstract: MCH5801 SBS007M TA3100
Text: Ordering number : ENN6941 MCH5801 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5801 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3405 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2195
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Original
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PDF
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ENN6941
MCH5801
MCH3405)
SBS007M)
MCH5801]
MCH3405
MCH5801
SBS007M
TA3100
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marking SA
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN7029 SBS806M Schottky Barrier Diode SBS806M 30V, 0.5A Rectifier Applications Package Dimensions unit : mm 1310 • 2.1 3 2 1 0.65 5 2.0 4 1 : Anode Diode 1 2 : No Contact 3 : Anode (Diode 2) 4 : Cathode (Diode 2) 5 : Cathode (Diode 1)
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Original
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PDF
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ENN7029
SBS806M
SBS806M
SBS006.
SBS806M]
marking SA
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN7029 SBS806M Schottky Barrier Diode SBS806M 30V, 0.5A Rectifier Applications Package Dimensions unit : mm 1310 • 2.1 3 2 1 0.65 5 2.0 4 1 : Anode Diode 1 2 : No Contact 3 : Anode (Diode 2) 4 : Cathode (Diode 2) 5 : Cathode (Diode 1)
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Original
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PDF
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ENN7029
SBS806M
SBS806M]
SBS806M
SBS006.
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VEC2801
Abstract: marking BL
Text: VEC2801 Ordering number : EN9078 SANYO Semiconductors DATA SHEET VEC2801 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features The best suited for DC / DC converter. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET and a Schottky Barrier Diode contained in one package
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Original
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VEC2801
EN9078
VEC2801
marking BL
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SS05015M
Abstract: 21505SB IT00636
Text: SS05015M 注文コード No. N 8 0 6 6 三洋半導体データシート N SS05015M ショットキバリアダイオード 15V, 500mA 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。
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Original
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PDF
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SS05015M
500mA
100mA,
600mm2
62797GI
TA-101008
21505SB
BX-0698
IT07926
SS05015M
21505SB
IT00636
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SBS006
Abstract: SBS806M
Text: 注文コード No. N 7 0 2 9 SBS806M No. N 7 0 2 9 83001 新 SBS806M ショットキバリアダイオード 30V, 0.5A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。 特長 ・順電圧が小さい IF=0.3A, VF max=0.4V (IF=0.5A, VF max=0.47V)。
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Original
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PDF
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SBS806M
SBS006
IT00633
IT00632
IT00634
IT00635
IT00636
SBS006
SBS806M
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CPH5803
Abstract: TA-3101 6935-2 MCH3405 SBS004M
Text: CPH5803 注文コード No. N 6 9 3 5 B 三洋半導体データシート 半導体データシート No.N6935A をさしかえてください。 CPH5803 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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CPH5803
N6935A
MCH3405)
SBS004M)
900mm2
TC-00001887
62005PE
TA-3101
CPH5803
6935-2
MCH3405
SBS004M
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SBS006M
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN7669 SBS006M Schottky Barrier Diode SBS006M 30V, 0.5A Rectifier Applications Package Dimensions unit : mm 1305A Features 2 1 0.65 0.07 Low forward voltage IF=0.3A, VF max=0.4V (IF=0.5A, VF max=0.47V). Ultrasmall package permitting applied sets to be
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Original
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ENN7669
SBS006M
SBS006M]
SBS006M
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN6980 CPH5804 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5804 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SBS006M) 2171
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Original
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PDF
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ENN6980
CPH5804
MCH3312)
SBS006M)
CPH5804]
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TA-3176
Abstract: marking QB MCH3308 MCH5802 SBS006M
Text: Ordering number : ENN6961 MCH5802 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5802 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3308 and a Schottky Barrier Diode (SBS006M) 2195
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Original
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PDF
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ENN6961
MCH5802
MCH3308)
SBS006M)
MCH5802]
TA-3176
marking QB
MCH3308
MCH5802
SBS006M
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SBS006
Abstract: No abstract text available
Text: 注文コード No. N 6 9 2 9 A SBS006 No. N 6 9 2 9 A 62901 新 半導体ニューズ No.6929 とさしかえてください。 SBS006 ショットキバリアダイオード 30V, 0.5A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ・コンバータ・チョッパ等の高周波回路整流用。
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Original
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PDF
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SBS006
100mA,
100mA
IT00633
IT00634
IT00632
IT00635
IT00636
SBS006
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W503
Abstract: D2502 mosfet FW503 D2502 MCH3306 SBS004 TA 73121
Text: 注文コード No. N 7 3 1 2 FW503 三洋半導体データシート N MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード FW503 特長 DC / DC コンバータ用 ・低オン抵抗超高速スイッチング、低電圧駆動の P チャネル MOS 形電界効果トランジスタと逆回復時間が
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Original
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PDF
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FW503
FW503
MCH3306
SBS004
2000mm2
IT02958
IT02957
IT02959
IT02960
W503
D2502 mosfet
D2502
MCH3306
SBS004
TA 73121
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TA-3102
Abstract: N6907 SBS004M
Text: 注文コード No. N 6 9 0 7 SBS004M No. N6907 21001 新 SBS004M ショットキバリアダイオード 15V, 1A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。 特長 ・順電圧が小さい
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Original
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PDF
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SBS004M
N6907
35VIF
100mA,
600mm2
IT02958
IT02957
IT02959
IT02960
TA-3102
N6907
SBS004M
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SBS007M
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN6908 SBS007M Schottky Barrier Diode SBS007M 15V, 1A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit : mm 1305 [SBS007M] 0.15 1 2.1 3 1.6 • 0.3 Low forward voltage (IF=0.3A, VF max=0.4V)
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Original
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PDF
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ENN6908
SBS007M
SBS007M]
SBS007M
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CPH5803
Abstract: MCH3405 SBS004M EN693
Text: CPH5803 Ordering number : EN6935B SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5803 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET MCH3405 and a Schottky Barrier Diode (SBS004M)
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Original
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PDF
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CPH5803
EN6935B
MCH3405)
SBS004M)
CPH5803
MCH3405
SBS004M
EN693
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