SBS804
Abstract: ENN6595 SBS004
Text: Ordering number : ENN6595 SBS804 Schottky Barrier Diode SBS804 15V, 1A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit : mm 1294 [SBS804] • 0.6 2.8 0.05 2 0.95 0.4 0.7 4 0.15 3
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Original
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ENN6595
SBS804
SBS804]
SBS804
SBS004.
ENN6595
SBS004
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2SJ560
Abstract: CPH6801 SBS004 TA2492
Text: Ordering number:EN6419 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH6801 DC/DC Converter Applications Package Dimensions unit:mm 2172 [CPH6801] 5 4 0.6 6 0.2 0.15 2.9 2.8 0.05 0.6 • The CPH6801 consists of a P-channel MOSFET that features low ON resistance, ultrahigh-speed switching, and low-voltage drive, and a shottky barrier
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Original
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EN6419
CPH6801
CPH6801]
CPH6801
2SJ560
SBS004,
SBS004
TA2492
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SBS004
Abstract: 62722
Text: Ordering number:ENN6272 Schottky Barrier Diode SBS004 15V, 1A Rectifier Applications Package Dimensions • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit:mm 1293 [SBS004] 2.9 · Low forward voltage (IF=0.5A, VF max=0.35V) (IF=1.0A, VF max=0.4V).
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Original
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ENN6272
SBS004
SBS004]
SBS004applied
SBS004
62722
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MCH3307
Abstract: SBS004 ENN8235 2171A
Text: CPH5838 Ordering number : ENN8235 CPH5838 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • DC / DC converters. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3307 and a Schottky Barrier Diode (SBS004)
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Original
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CPH5838
ENN8235
MCH3307)
SBS004)
MCH3307
SBS004
ENN8235
2171A
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diode N1004
Abstract: CPH5812 MCH3317 N1004 SBS010M TA-3787 74674
Text: CPH5812 Ordering number : ENN7467A CPH5812 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3317 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M) contained in one package facilitating high-density mounting.
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Original
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CPH5812
ENN7467A
MCH3317)
SBS010M)
diode N1004
CPH5812
MCH3317
N1004
SBS010M
TA-3787
74674
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74682
Abstract: 74684 74685 CPH5813 MCH3318 SBS010M
Text: 注文コード No. N 7 4 6 8 CPH5813 No. N 7 4 6 8 32803 新 CPH5813 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3318）とショットキバリアダイオード（SBS010M）を
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Original
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CPH5813
MCH3318
SBS010M
600mm2
IT05881
IT05883
IT00625
IT00626
74682
74684
74685
CPH5813
MCH3318
SBS010M
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74674
Abstract: CPH5812 MCH3317 SBS010M TA-3787
Text: Ordering number : ENN7467 CPH5812 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5812 DC / DC Converter Applications 4 0.15 3 0.6 5 0.2 [CPH5812] 2.9 0.05 1 2 0.95 0.4 1 : Cathode 2 : Drain 3 : Gate 4 : Source 5 : Anode 0.9 0.7 0.2 • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET
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Original
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ENN7467
CPH5812
CPH5812]
MCH3317)
SBS010M)
74674
CPH5812
MCH3317
SBS010M
TA-3787
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN7472 SBS010M Schottky Barrier Diode SBS010M 15V, 2A Rectifier Applications • Package Dimensions High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . unit : mm 1305A [SBS010M] 0.15 2 1 0.65 0.07 1.6 3 0.25 • Low forward voltage (IF=0.5A, VF max=0.32V)
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Original
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ENN7472
SBS010M
SBS010M]
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: CPH5822 Ordering number : ENN7702 CPH5822 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General Purpose Switching Device Features • • DC / DC converter applications. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M)
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Original
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ENN7702
CPH5822
MCH3312)
SBS010M)
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N7472
Abstract: SBS010M
Text: SBS010M 注文コード No. N 7 4 7 2 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N7472 とさしかえてください。 SBS010M ショットキバリアダイオード 15V, 2A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。
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Original
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SBS010M
N7472
100mA,
600mm2
TB-00001016
TA-100516
IT05881
IT05882
IT08545
N7472
SBS010M
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CPH5821
Abstract: MCH3312 SBS004
Text: CPH5821 注文コード No. N 7 7 0 1 三洋半導体データシート N CPH5821 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。
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Original
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CPH5821
MCH3312)
SBS004
600mm2
TA-100874
IT00622
IT00623
CPH5821
MCH3312
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CPH5831
Abstract: MCH3406 SBS010M cph58
Text: CPH5831 注文コード No. N 8 2 2 0 三洋半導体データシート N CPH5831 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用
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Original
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CPH5831
MCH3406)
SBS010M
600mm2
12805PE
TA-100797
IT08545
IT00625
CPH5831
MCH3406
cph58
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CPH5811
Abstract: MCH3406 SBS004 2171A marking QM
Text: CPH5811 Ordering number : ENN8234 CPH5811 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET MCH3406 and a Schottky Barrier Diode (SBS004) contained in one package facilitating high-density mounting.
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Original
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CPH5811
ENN8234
MCH3406)
SBS004)
CPH5811
MCH3406
SBS004
2171A
marking QM
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SBS004
Abstract: SBS804
Text: 注文コード No. N 6 5 9 5 SBS804 No. N 6 5 9 5 63000 新 SBS804 ショットキバリアダイオード 15V, 1A 整流素子 用途 ・スイッチングレギュレータ・コンバータ・チョッパ等の高周波回路整流用。 特長 ・順電圧が小さい IF=0.5A, VF max=0.35V (IF=1.0A, VF max=0.4V)。
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Original
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SBS804
SBS004
IT00623
IT00622
IT00624
IT00625
IT00626
SBS004
SBS804
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diode N1004
Abstract: CPH5822 MCH3312 N1004 SBS010M
Text: CPH5822 Ordering number : ENN7702A CPH5822 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • DC / DC converter applications. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M)
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Original
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CPH5822
ENN7702A
MCH3312)
SBS010M)
diode N1004
CPH5822
MCH3312
N1004
SBS010M
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AN 7468
Abstract: diode N1004 ic 74682 TA-3804 CPH5813 MCH3318 N1004 SBS010M 74682
Text: CPH5813 Ordering number : ENN7468A CPH5813 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3318 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M) contained in one package facilitating high-density mounting.
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Original
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PDF
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CPH5813
ENN7468A
MCH3318)
SBS010M)
AN 7468
diode N1004
ic 74682
TA-3804
CPH5813
MCH3318
N1004
SBS010M
74682
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CPH5835
Abstract: MCH3309 MCH5835 SBS010M
Text: CPH5835 注文コード No. N 8 2 0 7 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5835 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード( SBS010M)を 1 パッケージに
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Original
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PDF
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CPH5835
MCH3309)
SBS010M)
600mm2
12805PE
TB-00001006
IT05882
IT05881
CPH5835
MCH3309
MCH5835
SBS010M
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CPH5802
Abstract: MCH3306 SBS004
Text: Ordering number : ENN6899 CPH5802 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5802 DC / DC Converter Applications Package Dimensions unit : mm 2171 [CPH5802] 2.9 0.15 0.2 4 3 0.6 5 0.05 2.8 1.6 Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET
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Original
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PDF
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ENN6899
CPH5802
CPH5802]
MCH3306)
SBS004)
CPH5802
MCH3306
SBS004
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN6899 CPH5802 CPH5802 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Package Dimensions unit : mm 2171 [CPH5802] 2.9 0.15 0.2 4 3 2.8 0.6 5 1.6 Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET
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Original
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PDF
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ENN6899
CPH5802
CPH5802]
MCH3306)
SBS004)
CPH5802/D
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CPH6801
Abstract: 2SJ560 SBS004 IT00783 TA2492
Text: 注文コード No. N 6 4 1 9 CPH6801 No. N 6 4 1 9 N1999 新 CPH6801 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・低オン抵抗 , 超高速スイッチング , 低電圧駆動の P チャネル MOS 形電界効果トランジスタと逆回復時間
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Original
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PDF
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CPH6801
N1999
CPH6801
2SJ560
SBS004
600mm2
IT00624
IT00789
IT00625
2SJ560
SBS004
IT00783
TA2492
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MCH3406
Abstract: SBS004 CPH5811 2171A 4863s
Text: CPH5811 注文コード No. N 8 2 3 4 三洋半導体データシート N CPH5811 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3406 とショットキバリアダイオード(SBS004)を 1 パッケージに
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Original
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PDF
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CPH5811
MCH3406)
SBS004)
600mm2
22805PE
TB-00001212
IT00624
IT00623
MCH3406
SBS004
CPH5811
2171A
4863s
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74674
Abstract: CPH5812 MCH3317 N1004 SBS010M N2603
Text: CPH5812 注文コード No. N 7 4 6 7 B 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N7467A をさしかえてください。 CPH5812 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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PDF
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CPH5812
N7467A
MCH3317
SBS010M
600mm2
73106PE
TC-00000083
N1004
N2603
74674
CPH5812
MCH3317
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82074
Abstract: CPH5835 MCH3309 MCH5835 SBS010M
Text: CPH5835 注文コード No. N 8 2 0 7 三洋半導体データシート N CPH5835 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3309 とショットキバリアダイオード( SBS010M)を 1 パッケージに
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Original
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PDF
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CPH5835
MCH3309)
SBS010M)
600mm2
12805PE
TB-00001006
IT05882
IT05881
82074
CPH5835
MCH3309
MCH5835
SBS010M
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CPH5821
Abstract: MCH3312 SBS004 marking qx
Text: CPH5821 Ordering number : ENN7701 CPH5821 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • DC / DC converter applications. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SBS004)
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Original
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PDF
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CPH5821
ENN7701
MCH3312)
SBS004)
CPH5821
MCH3312
SBS004
marking qx
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