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    HF TRANSISTOREN Search Results

    HF TRANSISTOREN Datasheets Context Search

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    reedrelais

    Abstract: zu 109 reedschalter
    Text: MEDER electronic REEDSCHALTER IN RELAIS Der Reedschalter als Schaltelement in einem Reedrelais Wird der Reedschalter in einem Reedrelais verwendet, erzeugt man das Magnetfeld durch eine Kupferspule. Abb. # 1 zeigt die einfache Wirkungsweise. Reedrelais benötigen in der Regeleine relativ geringe Steuerleistung und können durch Transistoren, TTL-Logik oder


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    TFK 227

    Abstract: BF255 BF254 tfk 226 bf254 tfk BF 225 tfk 4 227 tfk u 226 b TFK 877 TFK 4 232
    Text: W BF 254 • BF 255 Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-HF-Transistoren Silicon NPN Epitaxial Planar RF Transistors Anwendungen: BF 254: Allgem ein und geregelte H F-Verstärkerstufen bis 100 MHz BF 255: Allgem ein und HF-Verstärkerstufen bis 100 MHz Applications:


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    BF679

    Abstract: BF679S bf 679
    Text: BF 679 S Silizium-PNP-HF-Transistoren Silicon PNP RF Transistors Anwendungen: R egelbare U HF/VH F-Eingangsstufen Applications: G ain controlled UHF/VHF input stages Besondere Merkmale: Features: • Hohe Verstärkung • H igh pow e r gain • Kleine R auschzahlen


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    SS502

    Abstract: M502 Q60218-Y34 Q60218-Y58 BSY34 Scans-0010549
    Text: NPIM-HF-Transistoren für Schalteranw endungen B S Y 34 B SY 58 B S Y 34 und B S Y 58 sind doppeltdiffundierte epitaktische NPN-Silizium-HF-Transistoren in Planartechnik im Gehäuse 5 C3 DIN 41 873 T O -39 . Der Kollektor ist mit dem Gehäuse elektrisch verbunden.


    OCR Scan     		PDF Q60218-Y34 Q60218-Y58 100mA 100mA /c-150mA, SS502 M502 Q60218-Y34 Q60218-Y58 BSY34 Scans-0010549

    KT925

    Abstract: KT925b kt925a Funkamateur SA 925 FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Leistungstransistor KTS25 KT 100 925a
    Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation KT 925 Silizium-HF-Leistungstransistor in Epitaxie-Planar-Technologie TG L 35490 UdSSR Kurzcharakteristik Grenzwerte Parameter Bedingungen Kurzzeichen Typ Kollektor/Basis-Spannung1 Kollektor/Emitter-Spannung1 (R be = 100 O)


    OCR Scan     		PDF KT925 f-300 KT925b kt925a Funkamateur SA 925 FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Leistungstransistor KTS25 KT 100 925a

    Transistor BSX 95

    Abstract: k 49 transistor LC 500-S BSX49 Q60218-X48 Q60218-X49 bsx 30 BSX48 Scans-0010549
    Text: IMPIM-Transistoren fü r HF-Schalteranwendungen BSX 48 BSX 49 Die Transistoren BSX 48 und BSX 49 sind doppeltdiffundierte epitaktische Silizium-Transistoren in Planar-Technik im Gehäuse 18 A3 DIN 41 876 TO-18 . Der Kollektor ist mit dem Gehäuse elektrisch verbunden.


    OCR Scan     		PDF Q60218-X48 Q60218-X49 Transistor BSX 95 k 49 transistor LC 500-S BSX49 Q60218-X48 Q60218-X49 bsx 30 BSX48 Scans-0010549

    HF-transistoren

    Abstract: No abstract text available
    Text: Transistoren Transistors HF-Transistoren und MMICs MOS Feldeffekt-Transistoren RF-Transistors and MMICs MOS Field-Effect Transistors Type Maximum Ratings Characteristics TA = 25 °C ^DS V Gps dB Fat dB Id mA Aot mW Vqs V Id mA / MHz gts mS Package Lead Code


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    BF440

    Abstract: BF441 IC 41 BF a1265 ir 441 c JEDECTO-92 Fm amplifier
    Text: BF 440 • BF 441 Siliziium-PNP-Epitaxial-Planar-HF-Transistoren Silicon PNP Epitaxial Planar RF Transistors Anwendungen: BF 440: G eregelte AM- und FM -Verstärkerstufen BF 441: AM- und FM-Verstärkerstufen Applications: BF 440: C ontrolled AM and FM am p lifier stages


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    BF362

    Abstract: TFK S 741 gain bandwidth product TFK 03 BF363
    Text: BF 362 * BF 363 Silízium-NPN-HF-Planar-Transistoren Silicon NPN RF Planar Transistors Anwendungen: BF 362: Regelbare UHF/VHF-Eingangsstufen BF 363: Selbstschw ingende M ischerstufen Applications: BF 362: Gain co ntrolled UHF/VHF input stages BF 363: S elf oscillating m ixer stages


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    mosfet bf 966

    Abstract: smd bf BF965 BF963 Marking fs sot mg sot-143 BF964S marking 16 sot143 BF96
    Text: -T -3 I-Ä S SIEMENS AKTIENGESELLSC HAF ÖE3SbOS GDSb27'i 4 « S I E G M7E » HF-MOS-Transistoren / RF MOS Transistors N-Channel MOSFET Tetrodes Plastic Package Type Max. ratings Characteristics CO Ï? P.O. G ps > mA mW mS Package Fig. F dB V mA f MHz dB 16.5


    OCR Scan     		PDF GDSb27 BF965 OT-143 OT-142 OT-23 mosfet bf 966 smd bf BF963 Marking fs sot mg sot-143 BF964S marking 16 sot143 BF96

    BFR 450

    Abstract: bfr 135 BFR180W BFS17P BFS17W BFT92 BFT93 BFT92P bfr194 193W
    Text: Transistoren Transistors HF-Transistoren Forts. RF-Transistors (cont'd) BFR 92P Chara<;teristics (TA = 25 °C) Maximum Ratings Type N = NPN P = PNP N ^C EO k P \Ot fr F k V mA mW GHz dB mA V 15 30 280 30 Vce 5.00 1.5 2 280 5.00 1.5 1.7 1.7 ▼ BFR92W N 15


    OCR Scan     		PDF OT-23 OT-323 BFR180W BFR 450 bfr 135 BFS17P BFS17W BFT92 BFT93 BFT92P bfr194 193W

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAF bOE D • ÖE3Sb05 O O S m V b 3G7 HISIE6 SIEMENS ^ 3 / - 0/ Transistoren Transistors HF-Transistoren Maximum Ratings ^CEO h Plot V mA mW Chariicteristics rA =25°C F Gp h le ^CE f GHz dB mA V MHz dB Package h mA LU Type N=NPN P=PNP


    OCR Scan     		PDF E3Sb05 BF517 BF550 BF554 BF569 OT-143 BFQ82 BFQ196

    BSY18

    Abstract: BSY17 Q60218-Y17 Q60218-Y18 Q60218-Y62-A Q60218-Y62-B Q60218-Y63 bd 743 transistor
    Text: NPN-HF-Transistoren für Schalteranwendungen BSY BSY - BSY BSY 17 18 62 63 B SY 17, B SY 18, B S Y 62 und B S Y 63 sind doppeltdiffundierte epitaktische NPN-Silizium-HFPlanar-Transistoren im Gehäuse 18 A3 DIN 41 876 T O -18 . Der Kollektor ist mit dem Gehäuse


    OCR Scan     		PDF Q60218-Y17 Q60218-Y18 Q60218-Y62-A Q60218-Y62-B Q60218-Y63 BSY18 BSY17 Q60218-Y17 Q60218-Y18 Q60218-Y62-A Q60218-Y62-B Q60218-Y63 bd 743 transistor

    amplifier siemens sot-363

    Abstract: BFS480 HF-transistoren SOT-363 fg 420 sot-363 SOT343
    Text: Transistoren Transistors SIEGET -HF-BIPOLAR-Transistoren SIEGET^-RF-BIPOLAR-Transistors Type N = NPN P = PNP Maximum Ratings Characteristics r A = 25 °C Package G Fcèo V 1F min k mA -f*tot h mW GHz dB k mA Vce f V MHz dB G ms k mA Vce / V MHz Lead Code


    OCR Scan     		PDF OT-343 OT-143 fl235b05 amplifier siemens sot-363 BFS480 HF-transistoren SOT-363 fg 420 sot-363 SOT343

    BFX59

    Abstract: Transistor BFX 25 BFX59F
    Text: B F X 59 B F X 59 F N PIM -Transistoren fü r Treiber- und Endstu fen in A ntennenverstärkern BFX 59 und BFX 59F sind epitaktische NPN-Silizium-Planar-HF-Transistoren im Gehäuse 1 8 A 4 DIN 41876 TO-72 . Die Anschlüsse sind vom Gehäuse elektrisch isoliert. Die Tran­


    OCR Scan     		PDF Q60206-X59 Q60206-X59-S5 BFX59 Transistor BFX 25 BFX59F

    KT920A

    Abstract: KT920B KT907A KT904A KT610A KT930A KT925b kt904 KT911A KT925A
    Text: FUNKAM ATEUR - Bauelementeinformation VT Hochfrequenz-Leistungstransistoren aus der Sowjetunion Daten gebräuchlicher sowjetischer HF-Leistungstransistoren Typ Ucmi U cl.» CcAV M [V] [V] [A] [A] IW- Pu« [K/W] [W] fr Pom [MHz] [W] v P Bemer­ f.w [MHzj [dB] kungen


    OCR Scan     		PDF KT610A KT610S KT61IIA-2 T610B-2 KT904A KT904B KT907A KT904E T911A KT920A KT920B KT930A KT925b kt904 KT911A KT925A

    Funkamateur

    Abstract: SF128 sf126 SSY20 SU161 SF136 SF137 sf359 132 gd 120 sf358
    Text: Funkam ateur-Tabeilen Halbleiter-Bauelemente aus der DDR-Produktion 1980 Typ P« mW [W] UcBO V U ceO Ic [ U c e r ] mA V [A] hin Bei UCE und Ic mA V [A] MHz Silizium-NF-Transistoren 200 SC 206 SC 207 200 sc 236 200 sc 237 200 200 sc 238 sc 239 200 Silizium-HF-Transistoren


    OCR Scan     		PDF il21E Funkamateur SF128 sf126 SSY20 SU161 SF136 SF137 sf359 132 gd 120 sf358

    KT920B

    Abstract: KT920A KT920 FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Funkamateur kt9205 kt 501 920B4 920a BT320
    Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation KT 920 Silizium-npn-HF-Leistungstransistor in Epitaxie-Planar-Technologie TGL 35407 Hersteller: UdSSR Kurzcharakteristik Grenzwerte Param eter Bedingungen Typ K u rzzeichen K ollektor/B asis-S pannung1 UcBO U CER K o llek to r/E m itter-S p an n u n g 1(R aE s 100 fi)


    OCR Scan     		PDF 175MHz KT920B KT920A KT920 FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Funkamateur kt9205 kt 501 920B4 920a BT320

    BFQ transistors

    Abstract: BFQ transistors 98 BFQ 58 BFQ57 BFQ196 bfq58 b20200 bfq59 siemens 350 98 5925B
    Text: T-3 I"Oí SIE M EN S A K T I E N G E S E L L S C H A F 47E D • ñ 2 3 S bQ S G Ü 5 b 57 ô 2 « S I E G HF-Bipolar-Transistoren / RF Bipolar Transistors Metal Ceramic Package NPN ID (II B B □ B □ 'c P,o. h V mA mW GHz dB BFQ 57 BFQ 58 16 16 35 30


    OCR Scan     		PDF fi23SbQS GD5b57fl O-117 BFQ transistors BFQ transistors 98 BFQ 58 BFQ57 BFQ196 bfq58 b20200 bfq59 siemens 350 98 5925B

    SSY20

    Abstract: SF828 VEB mikroelektronik funkamateur BUX 127 SF126 SF 127 SF128 SF826 SF 829 B
    Text: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation DDR-SiliziumTransistoren Typenübersicht Si-Transistoren des VEB Kombinat Mikroelektronik Grenzdaten Zonen­ Vorzugs­ anwendungen2 folge P,o, [mW, W ] Typ1 Kenndaten UcBO U ceO T • T * 1C , ACsat [V] [V] [mA, (A)] fiT3


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    BF259

    Abstract: bf 233 BF257 BF 235 BF258 BF258-BF259 bf 258 bf 236 A1233
    Text: Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-Transistoren Silicon NPN Epitaxial Planar Transistors Anwendungen: Video-Endstufen in Schwarz-Weiß- und Farb-FS-Empfängern. Schaltungen mit hoher Betriebsspannung Applications: Video power stages in black and white and colour TV receivers.


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    c 337 25

    Abstract: NPN 337 bc 170 c BC 337 bc 170 BC338 bc337 bc 338 npn bc 337 AF200
    Text: BC 337 * BC 338 Silizium-NPN-Epitaxial-Planar-NF-Transistoren Silicon NPN Epitaxial Planar AF Transistors Anwendungen: T reiber und Endstufen Applications: D river and p o w e r stages Features: Besondere Merkmale: • Verlustleistung 625 mW • In G ruppen so rtie rt


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    Transistoren DDR

    Abstract: service-mitteilungen stassfurt VEB INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN Servicemitteilungen service mitteilung luxomat ddr veb "service-mitteilungen" netzteil veb
    Text: SERVICE-MITTEILUNGEN VEB IN D U S T R IE V E R T R IE B R U N D F U N K U N D FER N S E H E N r a d i o -television AUSGABE: 9/72 DATUM: Okt. 1972 Ersatzteilversorgung für das teiltransistorisierte SW/FS-Gerät "Luxomat" vom VEB FSGW Staßfurt Der bereits mit SERVICE-MITTEILUNG, Ausgabe 3/72»angekündigte Fern­


    OCR Scan     		PDF Schichtdrehwiderst540 61-cm-Bildr Transistoren DDR service-mitteilungen stassfurt VEB INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN Servicemitteilungen service mitteilung luxomat ddr veb "service-mitteilungen" netzteil veb

    TESLA BP 4651

    Abstract: tesla bm 388e TESLA TESLA BM 429 4090 dm hf nu bp 4490 BM 445E BP4650 tesla transistoren TESLA BS 488 ELEKTROMAGNET MIT STABILISIERTEM
    Text: Fertigungssortiment ELEKTRONISCHE MESSGERÄTE ELEKTRONENMIKROSKOPE NMR SPEKTROMETER EINHEITLICHE KLASSIFIKATION: FACHGEBIET391 TESLA BRNO NATIONALUNTERNEHMEN INHALT 39111 - ELEKTRONISCHE MESSGERÄTE FÜR SPANNUNGEN UND ABGELEITETE GROSSEN K L A S S IF IK A T IO N


    OCR Scan     		PDF FACHGEBIET391 TESLA BP 4651 tesla bm 388e TESLA TESLA BM 429 4090 dm hf nu bp 4490 BM 445E BP4650 tesla transistoren TESLA BS 488 ELEKTROMAGNET MIT STABILISIERTEM