IRF9389
Abstract: No abstract text available
Text: IRF9389PbF N-CH 30 V DS R DS on max 27 Qg (typical) 6.8 HEXFET Power MOSFET P-CH -30 64 8.1 V S1 m nC N-CHANNEL MOSFET 1 8 D1 G1 2 7 D1 S2 3 6 D2 G2 4 5 D2 P-CHANNEL MOSFET ID (@TA = 25°C) 6.8 -4.6 A SO-8 Top View Applications l High and Low Side Switches for Inverter
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IRF9389PbF
EIA-481
EIA-541.
D-020D
IRF9389
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FLUKE 105B SCOPEMETER SERIES 2
Abstract: FLUKE 105B Fluke 99B SCOPEMETER SCOPEMETER Fluke 105 fluke scopemeter pm 105 b Kabel RS 232C 105b SCOPEMETER Fluke 99B
Text: ScopeMeter Serie B ® Tragbares Digital-Speicheroszilloskop Die ScopeMeter der Serie B von Fluke sind leistungsfähige tragbare DigitalSpeicheroszilloskope, die weltweit von immer mehr Technikern unter harten Einsatzbedingungen benutzt werden. ● Mit einem handlichen Format und
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145816
Abstract: DIN EN 60352-5 164094 163297 bogen 30145 LPK2N48 057056 7001U nx101
Text: LU 10.16 • Schraubanschluß max. 10,0 mm2 „f“ LU 10.16/2 . 3 2 STI nx10.16 – 5.08 LU 10.16/2 . 3 Raster 10,16 mm 4 Lötstifte pro Pol Polzahl Typ Lötstiftlänge 3,2 mm 2 LU 10.16/2/90 3.2 GR 3 LU 10.16/3/90 3.2 GR andere Polzahlen auf Anfrage
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Buccaneer Ein vollständiges Produktangebot an abgedichteten runden Steckverbindern nach IP68, die so konstruiert sind, dass sie sichere Verbindungen unter rauhen und aggressiven Bedingungen bereitstellen. Das Produktangebot besteht aus Mini, Standard und
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PX0800/06
PX0800
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TEMPFET
Abstract: zenerdiode Leistungstransistor Minimal ca30-m
Text: S Der TEMPFET Temperature Protected FET Der TEMPFET ist ein n- oder p-Kanal Leistungs-MOSFET mit eingebautem Temperatursensor, hergestellt in Chip-on-Chip-Technologie. Er ist gegen Übertemperatur und Kurzschluß geschützt, wobei die starke Erwärmung des Leistungstransistors als Indikator für einen Kurzschluß herangezogen wird.
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fluke 863
Abstract: Fluke 863 gmm Fluke 75 Multimeter IEC-1010-1 digital multimeter circuit FLUKE 75 Fluke 16 Multimeter multimeter 7217 Fluke 867B
Text: Serie 860 Graphical Multimeter Leistungsfähige Multimeter mit Graphik- und Protokollierungsmöglichkeiten Neu Echteffektiv CAT III-1000V Leistungsmerkmale 863 867B 32.000 32.000 Echteffektivwert-Messungen ● ● AutoDiode™ ● ● Hochohmiger Eingang
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III-1000V
SC860
RS-232-Kabel
fluke 863
Fluke 863 gmm
Fluke 75 Multimeter
IEC-1010-1
digital multimeter circuit
FLUKE 75
Fluke 16 Multimeter
multimeter
7217
Fluke 867B
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PM9080
Abstract: FLUKE 123 fluke bp120 FLUKE 23 Multimeter fluke 23 ITP120 HC120 spart 3 AC120 BB120
Text: Fluke 123 Industrielles ScopeMeter ® Schnelle und einfache Fehlersuche neu d n a Br CAT III-600V Echteffektiv Das Fluke ScopeMeter® 123 ist das ideale Hilfsmittel für die Fehlersuche an industriellen Anlagen, Instrumenten, Regelungs- und Stromversorgungssystemen. Hierbei
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III-600V
PM9080
FLUKE 123
fluke bp120
FLUKE 23
Multimeter fluke 23
ITP120
HC120
spart 3
AC120
BB120
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SDT06S60
Abstract: SPP11N60C3 A66762-A4013-A58 Datenbuch transistor book SIL00036 Transistor Datenbuch datenbuch dioden halbleiter datenbuch Explanation of Parameters Infineon 2002
Text: Explanation, V1.0, Apr. 2002 Explanation of Data Sheet Parameters Power Management & Supply N e v e r s t o p t h i n k i n g . Erläuterung der Datenblattwerte Explanation of Data Sheet Parameters Revision History: 2002-04 V1.0 Previous Version: Page Subjects major changes since last revision
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2002-Sep.
SIP00336
SDT06S60
SPP11N60C3
A66762-A4013-A58
Datenbuch
transistor book
SIL00036
Transistor Datenbuch
datenbuch dioden
halbleiter datenbuch
Explanation of Parameters Infineon 2002
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semikron sk 50 et 12
Abstract: CHN 346 IGBT CHN 633 diode Semikron Semitop sk 70 kq 12 CHN 709 Semikron sk 51 Semikron Semitop sk 70 kq um 3567 CHN 633 Diodes semikron sk 23 gd 063
Text: SEMITOP Cool Components SEMITOP® "Coole Alternative" Merkmale einer von SEMIKRON aufgebrachten Wärmeleitschicht bezo- • Niedriger Wärmewiderstand gen werden. Dabei entfällt für den SEMITOP verwendet die bewähr- Anwender die aufwendige und te DCB Keramik zur elektrischen
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D-90253
semikron sk 50 et 12
CHN 346 IGBT
CHN 633 diode
Semikron Semitop sk 70 kq 12
CHN 709
Semikron sk 51
Semikron Semitop sk 70 kq
um 3567
CHN 633 Diodes
semikron sk 23 gd 063
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A66762-A4013-A58
Abstract: leistungstransistoren Transistor Datenbuch halbleiter index transistor
Text: SIEM ENS 1 Symbole, Begriffe, Normen Symbole und Begriffe der verwendeten Größen Symbole Symbols Begriffe A Anode C Kapazität; Kollektor Ciss Eingangskapazität Í oss Ausgangskapazität rss Rückwirkungskapazität CDS Drain-Source Kapazität ^ GD Gate-Drain Kapazität
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U820 Diode
Abstract: 0555B TDB0555B Diode BAY 61 diode u820 TDB 0555B transistor a965 nf schaltungen darlington bd 645 P430-e11
Text: S IE M E N S Technische Mitteilung aus dem Bereich Bauelemente -io idun istechnik •Anwendungstechnik *Anwendung , wendungstechr idungstechnik -Anwendungstechnik •An ldt ' ' O idungstechnik *Anwendungstechnik *A 9ndi ' • ' Integrierter Fenster diskriminator TCA 965
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siemens datenbuch
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS 1 Erläuterungen der Datenblattwerte Explanation of Data Sheet Parameters Symbole, Begriffe, Normen 1 Symbole und Begriffe der verwendeten Größen Symbols, Terms, Standards Symbols and Terms of Magnitudes Used Symbole Symbols Begriffe Terms A Anode
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siemens dioden
Abstract: Transistor Datenbuch Siemens Halbleiterbauelemente A66762-A4013-A58 dioden siemens
Text: SIEMENS 1 Erläuterungen der Datenblattwerte Explanation of Data Sheet Parameters Symbole, Begriffe, Normen 1 Symbole und Begriffe der verwendeten Größen Symbols, Terms, Standards Symbols and Terms of Magnitudes Used Symbole Symbols Begriffe Terms A Anode
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170
Text: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenndaten der in der DD R gefertigten H albleiterbauelem ente. Die Kennwerte werden im allgem einen für eine Um gebungs temperatur von 25 °C angegeben.
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DOR102
Halbleiterbauelemente DDR
GAZ17
diode sy-250
"halbleiterwerk frankfurt"
sal41
diode sy-170
SF 127
diode say17
Halbleiter-Bauelemente DDR
SY 170
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KF 517
Abstract: transistor KF 517 Transistoren DDR service-mitteilungen KF517 transistor gt 322 b1 Ziphona bauelemente DDR servicemitteilungen KT326B
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN V E B IN D U ST R IE V E R T R IE B R U N D FU N K UND FE R N SE H E N piy!E§HÜ [r a d io -television] APRIL 1976 S5ITS 1-8 SHJLENBANDGERÄT "B 90” TESLA - .B 90" Zu den Importen bei Spulentonbandgeräten wird künftig auch das TESLA-Erzeugnis "B 90"
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III/18/379
KF 517
transistor KF 517
Transistoren DDR
service-mitteilungen
KF517
transistor gt 322 b1
Ziphona
bauelemente DDR
servicemitteilungen
KT326B
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DL038D
Abstract: Scans-048 DL038 138A1 DSAGER00017 TGL DDR
Text: Vorläufige technische Daten In te rn a tion ale r V e rg le ich sty p : S N 74 L S 38 W 4 NA ND -Leistungsgatter mit offenem Kollektorausgang und je 2 Eingängen in L o w - Power-Schottky-Technologie Y - M jmessunqen in mm 14 13 12 ,j=L_e3L.CX^0 _0 _C1„£X„,
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siemens BSM b2
Abstract: smd zener GD AX transistor fp 1016 79 p Siemens anwendungsbeispiele siemens igbt BSM 25 gb 100 d BTS412A DIODE ZENER BZW 04 TRANSISTOR EN SMD TZ N-Kanal FET BTS542R
Text: Technische Angaben SIPMOS-Leistungstransistoren und Dioden SIPMOS-Leistungstransistoren Transistoren im Bereich 50 V . 1000 V, 1,5 A . 60 A und 18 mQ . 8 Q. P -K a n a l N-Kanal Produktpalette • • • • • N- und P-Kanal-Anreicherungstypen FREDFET
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B152-B6299-X-X-7400
siemens BSM b2
smd zener GD AX
transistor fp 1016 79 p
Siemens anwendungsbeispiele
siemens igbt BSM 25 gb 100 d
BTS412A
DIODE ZENER BZW 04
TRANSISTOR EN SMD TZ
N-Kanal FET
BTS542R
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SIEMENS thyristor
Abstract: OPTOCOUPLER thyristor din 41 siemens OF IC 741 DIN 41 782 mos Turn-off Thyristor diode din
Text: Symbole, Begriffe, Normen Symbole und Begriffe der w ichtigsten Größen Symbole Begriffe C C,o Kapazität Optokoppler-Kapazität Eingang/Ausgang Eingangskapazität Ausgangskapazität Rückwirkkapazität Kapazität (Sensor/Source) Tastverhältnis/Tastgrad (D = i0/r )
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147-OC,
147-2G,
SIEMENS thyristor
OPTOCOUPLER thyristor
din 41
siemens OF IC 741
DIN 41 782
mos Turn-off Thyristor
diode din
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: BEL 639 transistor Sowjetische Halbleiter-Bauelemente KBC111 k4213 Germanium Transistor katalog radio fernsehen elektronik elektronik DDR KT904 KT372
Text: K a ta lo g sowjetischer H albleiterbauelem ente Si« linden im K a t a lo g t e il : Der hiermit unseren Lesern vorgelegte Katalog sowjetischer Transistoren, Dioden und integrierter Schaltkreise ist das Resultat enger Zusammen arbeit zwischen dem VEB Elektronikhandel Berlin und der Redaktion der
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siemens dioden
Abstract: leistungstransistoren thyristor capacitive discharge ignition Leistungsdiode car ignition circuit diagram of mosfet BUZ 384 car ignition chip die npn transistor Siemens Halbleiter
Text: Technische Angaben Erläuterungen der Datenblattwerte Qualität und Zuverlässigkeit Technical Inform ation Explanation o f Data Sheet Parameters Q uality and R eliability SIEM ENS 1 Übersicht 1.1 SIPM OS-Leistungstransistoren Leistungstransistoren im Bereich 5 0 V .
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SIL00001
MILSTD-883,
siemens dioden
leistungstransistoren
thyristor capacitive discharge ignition
Leistungsdiode
car ignition circuit diagram
of mosfet BUZ 384
car ignition
chip die npn transistor
Siemens Halbleiter
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kyx 28
Abstract: service-mitteilungen servicemitteilungen kyx 20 "halbleiterwerk frankfurt" rft servicemitteilung Heft 10 robotron Sonneberg "service-mitteilungen"
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN 5 iradio -television I VEB INDUSTRIEVERTRIEB RUNOFUNK UNO FERNSEHEN le Ausgabe im S e it e 1987 1 - 6 Mitteilung aus dem VEB Phonotechnik Pirna / Zittau Neu im Angebot: Hi-Fi-Phonoautomat SP 3 9 3 0 1. Kurzcharakteristik Gestalterisch abgestimmt zur Hi-Fi-Anlage S 3930 vom VEB SternRadio Sonneberg.
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gc 301
Abstract: selen-gleichrichter GAZ17 GY125 GD244 VEB M ik ro e le k tro n ik 04A657 ITT transistoren ga106 selen
Text: Erläuterung der Kurzzeichen von Halbleiterbauelem enten Transistoren B b C 1 15 C 22 b C 1h 2 i ä f h2 1o fT f F 1121 o | Il I2Tj| I E> Im o 11 • i>; o le n s IrKV Io Ic I K Bo In I d l^tot B ung Basisschaltung, Basis E in g an g sk ap azität MOS -FE T )
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MP21E
Abstract: sowjetische transistoren MP21D UdSSR KT904 ASZ16 KT315 OC1072 Transistoren DDR asz1015
Text: electronic Sowjetische Transistoren I n h a l t s v e r z e i c h n i s V o rw o rt K u rz c h a ra lc te rls tlk - G e rm a n iu n tra n s is to re n - S illz lu m tra n s ito re n S t a a t l i c h e r S ta n d a r d d e s S y ste m s f ü r d i e B e z e ic h n u n g d e r H a l b l e i t e r b a u e l e u e n t e d e r UdSSR
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information applikation
Abstract: VEB mikroelektronik information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft 12 Mikroelektronik Information Applikation "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik heft applikation heft mikroelektronik applikation a4100
Text: u Information Applikation rik K|D se o Fififlkif^ii \k i il •' n r i r Information Applikation H e f t 4 6 : L B I S T U H Q 3 B L E K T R 0 H I K Bipolarer Leist ungschalttransistor T e i l 2 v b h a l iW t T w r f c fm kf urfc/odr imvibliomhinit mlhrortBlurBiii
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