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ingaas LED Abstract: 0950b GMOY6047 Text: InGaAs-Hochleistungs-Infrarot-Lumineszenzdiode 950 nm InGaAs High Power Infrared Emitting Diode (950 nm) F 0950B Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Typ. Gesamtleistung: 40 mW @ 100 mA im 5mm Radial Gehäuse • Chipgröße 300 x 300 µm2	Original	PDF	0950B ingaas LED 0950b GMOY6047

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ingaas LED

Abstract: 0950b GMOY6047
Text: InGaAs-Hochleistungs-Infrarot-Lumineszenzdiode 950 nm InGaAs High Power Infrared Emitting Diode (950 nm) F 0950B Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Typ. Gesamtleistung: 40 mW @ 100 mA im 5mm Radial Gehäuse • Chipgröße 300 x 300 µm2

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0950B ingaas LED 0950b GMOY6047