Fototransistor
Abstract: GEOY6461 Q68000-A7851 IRL80A LPT80A diode Sr 203
Text: GaAs-Infrarot-Sendediode GaAs Infrared Emitter IRL 80 A Wesentliche Merkmale • GaAs-Lumineszenzdiode im Infrarotbereich • Klares Miniaturkunststoffgehäuse, seitliche Abstrahlung • Preiswertes Kunststoffgehäuse • Lange Lebensdauer Langzeitstabilität
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GEOY6461
Fototransistor
GEOY6461
Q68000-A7851
IRL80A
LPT80A
diode Sr 203
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TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Abstract: Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62
Text: Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden 107 Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden. 111
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GEMY6050
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Q65110A6342
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702
fototransistor BPW 39
SFH415U
sidelooker smd DIODE
transistor smd 3401
SFH 4740
LPT80
BPY62
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GEOY6461
Abstract: OHLY0598
Text: GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant IRL 81 A Wesentliche Merkmale Features • GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen Infrarotbereich • Rosa Kunststoff-Miniaturgehäuse, seitliche Abstrahlung • Preisgünstig
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Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant IRL 81 A Wesentliche Merkmale Features • GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen Infrarotbereich • Rosa Kunststoff-Miniaturgehäuse, seitliche Abstrahlung • Preisgünstig
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Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter IRL 81 A Wesentliche Merkmale • GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen Infrarotbereich • Klares Kunststoff-Miniaturgehäuse, seitliche Abstrahlung • Preisgünstig • Lange Lebensdauer Langzeitstabilität
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Q68000-A8000
OHR01425
GEOY6461
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STR G 8654
Abstract: A673 transistor transistor A673 transistor Bu 45080 TT 2188 mx 362-0 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 diode BZW 70-20 sfh 202 diode 3302 81a ir receiver
Text: Foreword Foreword Foreword Vorwort The information in this catalog is correct as of March 2011. Die Angaben in diesem Katalog entsprechen dem Stand März 2011. All products listed in this catalog are RoHS compliant, a fact that will be explicitly noted in the respective data sheet. For up-to-date
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Abstract: No abstract text available
Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant IRL 81 A gemäß OS-PCN-2011-003-A acc. to OS-PCN-2011-003-A Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
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OS-PCN-2011-003-A
OS-PCN-2011-003-A
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GEOY6461
Abstract: Q68000-A7851 Infrared Emitting Diode Pink
Text: GaAs-Infrarot-Sendediode GaAs Infrared Emitter IRL 80 A Wesentliche Merkmale Features • GaAs-Lumineszenzdiode im Infrarotbereich • Rosa Miniaturkunststoffgehäuse, seitliche Abstrahlung • Preiswertes Kunststoffgehäuse • Lange Lebensdauer Langzeitstabilität
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Q68000-A7851
GEOY6461
Q68000-A7851
Infrared Emitting Diode Pink
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GEOY6461
Abstract: Q68000-A8000
Text: GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter IRL 81 A Wesentliche Merkmale Features • GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen Infrarotbereich • Rosa Kunststoff-Miniaturgehäuse, seitliche Abstrahlung • Preisgünstig • Lange Lebensdauer Langzeitstabilität
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Abstract: No abstract text available
Text: 2013-08-01 GaAs Infrared Emitter GaAs-IR-Lumineszenzdiode Version 1.1 IRL 80 A Features: Besondere Merkmale: • GaAs infrared emitting diode • Clear plastic package with lateral emmision • GaAs-Lumineszenzdiode im Infrarotbereich • Klares Miniaturkunststoffgehäuse, seitliche
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D-93055
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Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-Infrarot-Sendediode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant IRL 80 A Wesentliche Merkmale Features • GaAs-Lumineszenzdiode im Infrarotbereich • Klares Miniaturkunststoffgehäuse, seitliche Abstrahlung • Preiswertes Kunststoffgehäuse
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TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Abstract: DIODE B-10 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28 TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM SFH4450 GEOY6969 SFH 4232 SFH 4740 702 transistor smd code
Text: Infrared Components ge 88 - 92 107 108 Infrared Components Summary of Types Silicon Photodetectors For moreComponents Infrared detailed product Summary information of Types andSilicon technical Photodetectors datasheets, please visit http://catalog.osram-os.com
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GEXY6713
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
DIODE B-10
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702
TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28
TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM
SFH4450
GEOY6969
SFH 4232
SFH 4740
702 transistor smd code
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diode 9306
Abstract: FA 4301 SFH 9500 SFH 5110 bpx 48 BP104 SFH 4552 SFH9240 GEOY6972 GPXY6992
Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS Maßbilder in mm inch Outline Drawings dimensions in mm (inch) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) SFH 5110, SFH 5111 Figure 2 6.1 (0.240) 5.9 (0.232)
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GETY6091
GPLY6899
GPLY6880
diode 9306
FA 4301
SFH 9500
SFH 5110
bpx 48
BP104
SFH 4552
SFH9240
GEOY6972
GPXY6992
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fototransistor BPW 39
Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.
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EN60825-1
GETY6091
GPLY6899
GPLY6880
fototransistor BPW 39
fototransistor BPX 81
opto P180
marking s4 diode smt
SFH 300-3/4 datasheet
OSRAM IR emitter IRL
P3596
foto transistor
SFH 229
foto sensor
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OHF04132
Abstract: MA103 OS-PCN-2011-003-A2
Text: 2012-11-15 High Power Infrared Emitter 850 nm IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 / acc. to: OS-PCN-2011-003-A2 IRL 81 A Features: Besondere Merkmale: • High Power Infrared LED • Pink plastic package with lateral emission
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OS-PCN-2011-003-A2
OS-PCN-2011-003-A2
D-93055
OHF04132
MA103
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Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-15 High Power Infrared Emitter 850 nm IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.1 / acc. to: OS-PCN-2011-003-A2 IRL 81 A Features: Besondere Merkmale: • High Power Infrared LED • Pink plastic package with lateral emission
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OS-PCN-2011-003-A2
D-93055
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Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Infrarot-Sendediode GaAlAs-Infrared Emitter IRL 81 A Wesentliche Merkmale Features • GaAIAs-Lumineszenzdiode im nahen Infrarotbereich • Klares Kunststoff-Miniaturgehäuse, seitliche Abstrahlung • Preisgünstig • Lange Lebensdauer Langzeitstabilität
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