TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Abstract: Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62
Text: Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden 107 Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden. 111
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GEMY6050
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Q65110A6342
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702
fototransistor BPW 39
SFH415U
sidelooker smd DIODE
transistor smd 3401
SFH 4740
LPT80
BPY62
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STR G 8654
Abstract: A673 transistor transistor A673 transistor Bu 45080 TT 2188 mx 362-0 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 diode BZW 70-20 sfh 202 diode 3302 81a ir receiver
Text: Foreword Foreword Foreword Vorwort The information in this catalog is correct as of March 2011. Die Angaben in diesem Katalog entsprechen dem Stand März 2011. All products listed in this catalog are RoHS compliant, a fact that will be explicitly noted in the respective data sheet. For up-to-date
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foto transistor
Abstract: Q62702-P958 GEOY6351 Q62702-P3587 Q62702-P3588 Q62702-P957
Text: NPN-Silizium-Fototransistor; mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor; with Daylight Filter SFH 303 SFH 303 FA SFH 303 SFH 303 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm SFH 303 und bei 880 nm (SFH 303 FA)
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GEOY6351
foto transistor
Q62702-P958
GEOY6351
Q62702-P3587
Q62702-P3588
Q62702-P957
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TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Abstract: DIODE B-10 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28 TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM SFH4450 GEOY6969 SFH 4232 SFH 4740 702 transistor smd code
Text: Infrared Components ge 88 - 92 107 108 Infrared Components Summary of Types Silicon Photodetectors For moreComponents Infrared detailed product Summary information of Types andSilicon technical Photodetectors datasheets, please visit http://catalog.osram-os.com
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GEXY6713
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
DIODE B-10
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702
TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28
TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM
SFH4450
GEOY6969
SFH 4232
SFH 4740
702 transistor smd code
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F1113
Abstract: Q62702P0957 GEOY6351 OHLY0598
Text: NPN-Silizium-Fototransistor; mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor; with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 303 SFH 303 FA SFH 303 SFH 303 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
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diode 9306
Abstract: FA 4301 SFH 9500 SFH 5110 bpx 48 BP104 SFH 4552 SFH9240 GEOY6972 GPXY6992
Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS Maßbilder in mm inch Outline Drawings dimensions in mm (inch) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) SFH 5110, SFH 5111 Figure 2 6.1 (0.240) 5.9 (0.232)
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GETY6091
GPLY6899
GPLY6880
diode 9306
FA 4301
SFH 9500
SFH 5110
bpx 48
BP104
SFH 4552
SFH9240
GEOY6972
GPXY6992
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fototransistor BPW 39
Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.
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EN60825-1
GETY6091
GPLY6899
GPLY6880
fototransistor BPW 39
fototransistor BPX 81
opto P180
marking s4 diode smt
SFH 300-3/4 datasheet
OSRAM IR emitter IRL
P3596
foto transistor
SFH 229
foto sensor
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Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor; mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor; with Daylight Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 303 SFH 303 FA SFH 303 SFH 303 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
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Q62702P0957
Q62702P3588
Q62702P0958
Q62702P3587
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fotodiode
Abstract: Lambda Electronics rise time of silicon photodiode 50 201 06.20 FA 600 fototransistor led photodiode and phototransistor GEOY6351 OHLY0598 OSRAM Fa base
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 303 FA SFH 303 FA Wesentliche Merkmale Features • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: 730 nm .1100 nm • Gehäuse: 5 mm Radial (T13/4), Harz • Besonderheit des Bauteils:
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T13/4)
fotodiode
Lambda Electronics
rise time of silicon photodiode
50 201 06.20
FA 600
fototransistor led
photodiode and phototransistor
GEOY6351
OHLY0598
OSRAM Fa base
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foto transistor
Abstract: GEOY6351 Q62702-P3587 Q62702-P3588 Q62702-P957 Q62702-P958
Text: NPN-Silizium-Fototransistor; mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor; with Daylight Filter SFH 303 SFH 303 FA SFH 303 SFH 303 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm SFH 303 und von
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 303 FA Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 750 . 1120 nm • Package: 5mm Radial (T 1 ¾), Epoxy • Special: Base connection • High photosensitivity
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D-93055
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Abstract: No abstract text available
Text: 2008-06-20 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 SFH 303 FA Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 750 . 1120 nm • Package: 5mm Radial T 1 ¾ , Epoxy • Special: Base connection • High photosensitivity
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D-93055
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