GEO06137
Abstract: OHLY0598 OHRD1938
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 405 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • GaAs-IR-Lumineszenzdiode Hohe Zuverlässigkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit SFH 305
|
Original
|
PDF
|
|
GaAs 850 nm Infrared Emitting Diode
Abstract: GEO06137 OHRD1938 Q62702-P835
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 2.84 2.24 1 3.6 3.2 3.0 2.5 2.7 2.5 1.15 0.90 SFH 405 3.5 3.0 0.5˚ 0.5 0.4 2.1 1.5 2.54 spacing Collector SFH 305) Cathode (SFH 405) Approx. weight 0.02 g feo06317 1) Detaching area for tools, flash not true to size.
|
Original
|
PDF
|
feo06317
GEO06137
OHR02183
OHR01886
GaAs 850 nm Infrared Emitting Diode
GEO06137
OHRD1938
Q62702-P835
|
GEO06137
Abstract: OHRD1938 Q62702-P835
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 405 Wesentliche Merkmale • GaAs-IR-Lumineszenzdiode • Hohe Zuverlässigkeit • Gruppiert lieferbar • Gehäusegleich mit SFH 305 • Miniatur-Gehäuse Features • GaAs infrared emitting diode • High reliability
|
Original
|
PDF
|
OHR01886
GEO06137
GEO06137
OHRD1938
Q62702-P835
|
GEO06137
Abstract: OHLY0598 OHRD1938 Q62702-P0835
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 405 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • GaAs-IR-Lumineszenzdiode Hohe Zuverlässigkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit SFH 305
|
Original
|
PDF
|
|
"1060 nm"
Abstract: GEO06137 Q62702-P3589 Q62702-P836 Q62702-P848 Q62702-P849 OPTO 3052
Text: Mini-NPN-Silizium-Fototransistor Mini-Silicon NPN Phototransistor SFH 305 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1060 nm • Hohe Linearität • Mini-Bauform • Gruppiert lieferbar Features • Especially suitable for applications from
|
Original
|
PDF
|
Q62702-P836
Q62702-P848
GEO06137
"1060 nm"
GEO06137
Q62702-P3589
Q62702-P836
Q62702-P848
Q62702-P849
OPTO 3052
|