GEO06021
Abstract: Q62702-P20 Q62702-P43-S2 Q62702-P43-S3 Q62702-P43-S4
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPX 81 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 440 nm bis 1070 nm • Hohe Linearität • Einstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy • Gruppiert lieferbar Features
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GEO06021
GEO06021
Q62702-P20
Q62702-P43-S2
Q62702-P43-S3
Q62702-P43-S4
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Q62703-Q395
Abstract: GEO06021 OHRD1938 Q62703-Q67
Text: 0.7 0.6 0 . 5 2.7 2.5 0.25 0.15 3.5 3.0 0.5 0.4 Chip position 1.9 1.7 2.4 2.1 LD 261 3.6 3.2 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 2.1 1.5 2.54 mm spacing A Radiant sensitive area 0.4 x 0.4 1.4 1.0 Collector (BPX 81) Cathode (LD 261) 1) Detaching area for tools, flash not true to size.
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GEO06021
feo06021
epi20
OHR02182
OHR01878
Q62703-Q395
GEO06021
OHRD1938
Q62703-Q67
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GEO06021
Abstract: OHRD1938 Q62703-Q395 Q62703-Q67
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 261 Wesentliche Merkmale • GaAs-IR-Lumineszenzdiode • Hohe Zuverlässigkeit • Gruppiert lieferbar • Gehäusegleich mit BPX 81 • Miniatur-Gehäuse Features • GaAs infrared emitting diode • High reliability
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OHR01878
GEO06021
GEO06021
OHRD1938
Q62703-Q395
Q62703-Q67
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