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GCOY6878 Abstract: No abstract text available Text: GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode 950 nm, Enhanced Power GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power) F 0118J Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Typ. Gesamtleistung: 24 mW @ 100 mA im TOPLED Gehäuse • Chipgröße 300 x 300 µm2	Original	PDF	0118J GCOY6878

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GCOY6878

Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode 950 nm, Enhanced Power GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power) F 0118J Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Typ. Gesamtleistung: 24 mW @ 100 mA im TOPLED Gehäuse • Chipgröße 300 x 300 µm2

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