foto transistor
Abstract: BPY62 foto Y1112 Q60215-Y1111 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y62 Q62702-P1113 npn phototransistor
Text: BPY 62 BPY 62 fmof6019 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from
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Original
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fmof6019
IPCE/IPCE25o
ICEO/ICEO25o
foto transistor
BPY62
foto
Y1112
Q60215-Y1111
Q60215-Y1112
Q60215-Y1113
Q60215-Y62
Q62702-P1113
npn phototransistor
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BPY62
Abstract: Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y5198 Q60215-Y62 Q60215Y1113 BPY 62-3/4
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 mit Basisanschluß, geeignet bis 125 °C
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Original
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IPCE/IPCE25o
ICEO/ICEO25o
BPY62
Q60215-Y1112
Q60215-Y1113
Q60215-Y5198
Q60215-Y62
Q60215Y1113
BPY 62-3/4
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BPY 62-3/4
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 mit
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Q60215-Y62
Q60215-Y1112
Q60215-Y5198
Q60215-Y1113
BPY 62-3/4
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bpy 62-4
Abstract: Q60215-Y1111 foto transistor Y1112 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y62 Q62702-P1113 Q60215Y1113 BPY62
Text: BPY 62 BPY 62 fmof6019 NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified Wesentliche Merkmale Features ● Speziell geeignet für Anwendungen im ● Especially suitable for applications from
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fmof6019
IPCE/IPCE25o
ICEO/ICEO25o
bpy 62-4
Q60215-Y1111
foto transistor
Y1112
Q60215-Y1112
Q60215-Y1113
Q60215-Y62
Q62702-P1113
Q60215Y1113
BPY62
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phototransistor 600 nm
Abstract: BPY62 bpy 62-4
Text: 2009-07-24 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 BPY 62 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 400 . 1100 nm • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: 400 . 1100 nm • Gehäuse: Metall Gehäuse TO-18 , hermetisch
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Original
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D-93055
phototransistor 600 nm
BPY62
bpy 62-4
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GMOY6019
Abstract: OHLY0598 Q60215Y1113
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPY 62 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit
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Original
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Bpy 43
Abstract: foto transistor Y1112 GMOY6019 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y5198 Q60215-Y62
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor BPY 62 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform TO-18 mit Basisanschluß, geeignet bis 125 °C
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Original
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GMOY6019
Abstract: OHLY0598 Q60215Y1112 Q60215Y1113 BPY 10
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPY 62 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 BPY 62 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 400 . 1100 nm • Package: Metal Can (TO-18), hermetically sealed • • • • • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit:
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D-93055
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GMOY6019
Abstract: OHLY0598 Q60215Y1112 Q60215Y1113 BPY 62-3/4
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPY 62 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18) mit
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vqe24
Abstract: VQE14 VQE23 MB111 TIL78 VQA13 VQB28 TIL414 VQA13-1 OPTOKOPPLER
Text: RFT VQA10 Beschreibung Siemens LED, 5 mm, TSN-rot, Gehäuse diffus LS5160 rot Hewlett Packard General Instruments Telefunken Texas Instruments Toshiba Valvo HLMP-3300 (MV5753) TLUG5400 (TIL228) (TLS154) CQX51 VQA13 LED, 5 mm, rot, Gehäuse diffus klar VQA13-1 LED, 5 mm, rot, Gehäuse diffus rot LR5160 HLMP-3000 MV5054A TLUR5400 (TIL220)
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VQA10
LS5160
HLMP-3300)
MV5753)
TLUG5400
TIL228)
TLS154)
CQX51
VQA13
VQA13-1
vqe24
VQE14
VQE23
MB111
TIL78
VQB28
TIL414
OPTOKOPPLER
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fototransistor BPW 39
Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
Text: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.
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EN60825-1
GETY6091
GPLY6899
GPLY6880
fototransistor BPW 39
fototransistor BPX 81
opto P180
marking s4 diode smt
SFH 300-3/4 datasheet
OSRAM IR emitter IRL
P3596
foto transistor
SFH 229
foto sensor
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TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Abstract: Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62
Text: Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden 107 Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden. 111
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GEMY6050
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401
Q65110A6342
TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702
fototransistor BPW 39
SFH415U
sidelooker smd DIODE
transistor smd 3401
SFH 4740
LPT80
BPY62
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ecg semiconductors master replacement guide
Abstract: ecg master replacement guide mkl b32110 siemens mkp B32650 c945 p 331 ks transistor IC,MASTER master replacement guide Kennlinie KTY 10-6 siemens b32110 A2005 transistor
Text: Liebe Schuricht-Kunden, Ihre Zufriedenheit ist unser größtes Anliegen. Aus diesem Grunde versuchen wir, Ihnen Informationen und Ware stets zum richtigen Zeitpunkt verfügbar zu machen. Das gilt insbesondere auch für die Produkte der Siemens AG mit den drei
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SIEMENS Phototransistors BPY
Abstract: Q60215-Y1111 Q60215-Y1112 Q60215-Y1113 Q60215-Y62 Q62702-P1113 WCE0250 SIEMENS Phototransistors Q60215Y1111
Text: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Chip position BPY 62 R ad ian t sensitive area ^ 2 -7 0 0 .4 5 A 14.5 5.1 12.5 4.8 6.2 5.4 o Approx. w eight 1.0 g 5fi o E M aße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherw ise specified
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WCE0250
OHF01593
0HF01916
SIEMENS Phototransistors BPY
Q60215-Y1111
Q60215-Y1112
Q60215-Y1113
Q60215-Y62
Q62702-P1113
WCE0250
SIEMENS Phototransistors
Q60215Y1111
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TRANSISTOR si 6822
Abstract: LM 3140 si 6822 transistor transistor 6822 si transistors Si 6822 lm3140 SN-72500 transistors br 6822 Siemens technische transistor 6823
Text: Technische Erläuterungen SIEMENS Allgem eines O ptoelektronische Bauelem ente haben in der m odernen Elektronik und dam it in fast allen Bereichen unseres Lebens weiten Eingang gefunden. Sie sind in hohem Maße an dem Um stellungsprozeß von Mechanik auf Elektronik beteiligt und haben, aufgrund ihrer Funktion als
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