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FHD1664 Abstract: FHD1664P FHD1664Q FHD1664R Text: 广东肇庆风华新谷微电子有限公司广东省肇庆市风华路 18 号风华电子工业城三号楼一楼 TEL:0758-2865088 2865091 FAX:0758-2849749 SOT-89 Medium Power Transistor NPN FHD1664 FEATURES特征 •Low VCE sat ： VCE(sat) = 0.15V (Typ.)	Original	PDF	OT-89 FHD1664 500mA FHD1664P FHD1664Q FHD1664R -50mA, 30MHz FHD1664
Untitled Abstract: No abstract text available Text: NPN ᒦ৖ൈहࡍྯ૵਌ Medium Power Transistor NPN Medium Power Transistor(NPN) FHD1664 NPN ᒦ৖ൈहࡍྯ૵਌ DESCRIPTION & FEATURES 概述及特點 1) Low VCE (sat) = 0.15V(Typ) (IC / IB =500mA/50mA) 2) Complements the FHB1132 3) Epitaxial planar type,	Original	PDF	500mA/50mA) FHB1132 OT-89 FHD1664 OT-89 DED1664Q FHD1664R 100mA 500mA

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FHD1664

Abstract: FHD1664P FHD1664Q FHD1664R
Text: 广东肇庆风华新谷微电子有限公司广东省肇庆市风华路 18 号风华电子工业城三号楼一楼 TEL:0758-2865088 2865091 FAX:0758-2849749 SOT-89 Medium Power Transistor NPN FHD1664 FEATURES特征 •Low VCE sat ： VCE(sat) = 0.15V (Typ.)

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OT-89 FHD1664 500mA FHD1664P FHD1664Q FHD1664R -50mA, 30MHz FHD1664

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Text: NPN ᒦ৖ൈहࡍྯ૵਌ Medium Power Transistor NPN Medium Power Transistor(NPN) FHD1664 NPN ᒦ৖ൈहࡍྯ૵਌ DESCRIPTION & FEATURES 概述及特點 1) Low VCE (sat) = 0.15V(Typ) (IC / IB =500mA/50mA) 2) Complements the FHB1132 3) Epitaxial planar type,

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500mA/50mA) FHB1132 OT-89 FHD1664 OT-89 DED1664Q FHD1664R 100mA 500mA