ELM3C1350A
Abstract: No abstract text available
Text: 单 N 沟道 MOSFET ELM3C1350A •概要 ■特点 ELM3C1350A 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=500V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 · Id=13A · Rds on < 0.52Ω (Vgs=10V) ■绝对最大额定值 项目 记号 如没有特别注明时, Ta=25℃
|
Original
|
PDF
|
ELM3C1350A
ELM3C1350A
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Single N-channel MOSFET ELM3C1350A •General description ■Features ELM3C1350A uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • Vds=500V • Id=13A • Rds(on) < 0.52Ω (Vgs=10V) ■Maximum absolute ratings
|
Original
|
PDF
|
ELM3C1350A
ELM3C1350A
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: シングル N チャンネル MOSFET ELM3C1350A •概要 ■特長 ELM3C1350A は低入力容量 低電圧駆動、 低 ON ・ Vds=500V 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=13A ・ Rds on < 0.52Ω (Vgs=10V) ■絶対最大定格値
|
Original
|
PDF
|
ELM3C1350A
|
Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Single N-channel MOSFET ELM3C1350A •General description ■Features ELM3C1350A uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • Vds=500V • Id=13A • Rds(on) < 0.52Ω (Vgs=10V) ■Maximum absolute ratings
|
Original
|
PDF
|
ELM3C1350A
ELM3C1350A
|