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Abstract: No abstract text available
Text: Single P-channel MOSFET ELM36403EA-S •General description ■Features ELM36403EA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=-30V Id=-5A Rds(on) < 51mΩ (Vgs=-10V) Rds(on) < 85mΩ (Vgs=-4.5V)
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Original
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ELM36403EA-S
ELM36403EA-S
P5103EAG
May-18-2006
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ELM36403EA
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Text: 单 P 沟道 MOSFET ELM36403EA-S •概要 ■特点 ELM36403EA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电压， 低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=-30V ·Id=-5A ·Rds on < 51mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 85mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值
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ELM36403EA-S
May-18-2006
P5103EAG
ELM36403EA
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Text: シングル P チャンネル MOSFET ELM36403EA-S •概要 ■特長 ELM36403EA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-5A ・ Rds on < 51mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 85mΩ (Vgs=-4.5V)
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ELM36403EA-S
P5103EAG
May-18-2006
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Text: Single P-channel MOSFET ELM36403EA-S •General description ■Features ELM36403EA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=-30V Id=-5A Rds(on) < 51mΩ (Vgs=-10V) Rds(on) < 85mΩ (Vgs=-4.5V)
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P5103EAG
May-18-2006
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