复合
Abstract: ELM35601KA
Text: 复合沟道 MOSFET ELM35601KA-S •概要 ■特点 ELM35601KA-S 是低输入电容低工 N 沟道 作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=40V P 沟道 ·Vds=-40V 同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=7A ·Id=-5.5A
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Original
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ELM35601KA-S
P2804ND5G
O-252-5
SEP-16-2005
复合
ELM35601KA
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM35601KA-S •概要 ■特長 ELM35601KA-S は低入力容量 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=40V 性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Id=7A
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Original
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ELM35601KA-S
P2804ND5G
O-252-5
SEP-16-2005
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P2804ND5G
Abstract: No abstract text available
Text: Complementary MOSFET ELM35601KA-S •General Description ■Features ELM35601KA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • N-channel P-channel Vds=40V Id=7A Rds(on) < 28mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 49mΩ(Vgs=5V)
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Original
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ELM35601KA-S
ELM35601KA-S
P2804ND5G
O-252-5
SEP-16-2005
P2804ND5G
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transistor 123 DL
Abstract: No abstract text available
Text: Complementary MOSFET ELM35601KA-S •General Description ■Features ELM35601KA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • N-channel P-channel Vds=40V Id=7A Rds(on) < 28mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 49mΩ(Vgs=5V)
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ELM35601KA-S
ELM35601KA-S
P2804ND5G
O-252-5
SEP-16-2005
transistor 123 DL
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