ELM34812AA
Abstract: No abstract text available
Text: 双 N 沟道 MOSFET ELM34812AA-N •概要 ■特点 ELM34812AA-N 是 N 沟道低输入电容低工作电压、 •Vds=20V 低导通电阻的大电流 MOSFET，内藏有两个 MOSFET。 ·Id=7A ·Rds on < 21mΩ (Vgs=4.5V) ·Rds(on) < 35mΩ (Vgs=2.5V) ■绝对最大额定值
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Original
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ELM34812AA-N
MAY-19-2005
P2002IVG
ELM34812AA
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Dual N-channel MOSFET ELM34812AA-N •General description ■Features ELM34812AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=20V Id=7A Rds(on) < 21mΩ (Vgs=4.5V) Rds(on) < 35mΩ (Vgs=2.5V)
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ELM34812AA-N
ELM34812AA-N
P2002IVG
MAY-19-2005
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Text: デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM34812AA-N •概要 ■特長 ELM34812AA-N は低入力容量 低電圧駆動、 低 オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー ・ Vds=20V ・ Id=7A MOSFET です。 ・ Rds on < 21mΩ (Vgs=4.5V)
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ELM34812AA-N
P2002IVG
MAY-19-2005
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Text: Dual N-channel MOSFET ELM34812AA-N •General description ■Features ELM34812AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=20V Id=7A Rds(on) < 21mΩ (Vgs=4.5V) Rds(on) < 35mΩ (Vgs=2.5V)
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P2002IVG
MAY-19-2005
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