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Abstract: No abstract text available
Text: Complementary MOSFET ELM34604AA-N •General Description ■Features ELM34604AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • N-channel P-channel Vds=40V Id=7A Rds(on) < 28mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 42mΩ(Vgs=4.5V)
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Original
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ELM34604AA-N
ELM34604AA-N
P2804NVG
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Abstract: No abstract text available
Text: Complementary MOSFET ELM34604AA-N •General Description ■Features ELM34604AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • N-channel P-channel Vds=40V Id=7A Rds(on) < 28mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 42mΩ(Vgs=4.5V)
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Original
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ELM34604AA-N
ELM34604AA-N
P2804NVG
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复合
Abstract: ELM34604AA
Text: 复合沟道 MOSFET ELM34604AA-N •概要 ■特点 ELM34604AA-N 是低输入电容低工 N 沟道 作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=40V P 沟道 ·Vds=-40V 同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=7A ·Id=-5A ·Rds on < 28mΩ(Vgs=10V) ·Rds(on) < 65mΩ(Vgs=-10V)
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Original
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ELM34604AA-N
P2804NVG
AUG-19-2004
复合
ELM34604AA
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Abstract: No abstract text available
Text: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34604AA-N •概要 ■特長 ELM34604AA-N は低入力容量 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=40V 性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Id=7A
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ELM34604AA-N
P2804NVG
AUG-19-2004
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