P2803NVG
Abstract: No abstract text available
Text: Complementary MOSFET ELM34603AA-N •General Description ■Features ELM34603AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • N-channel P-channel Vds=30V Id=7A Rds(on) < 27.5mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 40mΩ(Vgs=4.5V)
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Original
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ELM34603AA-N
ELM34603AA-N
P2803NVG
JUL-25-2005
P2803NVG
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复合
Abstract: ELM34603AA
Text: 复合沟道 MOSFET ELM34603AA-N •概要 ■特点 ELM34603AA-N 是低输入电容低工 N 沟道 作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=30V P 沟道 ·Vds=-30V 同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=7A ·Id=-6A ·Rds on < 27.5mΩ(Vgs=10V)·Rds(on) < 34mΩ(Vgs=-10V)
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ELM34603AA-N
JUL-25-2005
P2803NVG
复合
ELM34603AA
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Complementary MOSFET ELM34603AA-N •General Description ■Features ELM34603AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • N-channel P-channel Vds=30V Id=7A Rds(on) < 27.5mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 40mΩ(Vgs=4.5V)
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ELM34603AA-N
ELM34603AA-N
P2803NVG
JUL-25-2005
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Untitled
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Text: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34603AA-N •概要 ■特長 ELM34603AA-N は低入力容量 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=30V 性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Id=7A
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P2803NVG
JUL-25-2005
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