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Abstract: No abstract text available
Text: Single P-channel MOSFET ELM34403AA-N •General description ■Features ELM34403AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=-55V Id=-4.5A Rds(on) < 80mΩ (Vgs=-10V) Rds(on) < 150mΩ (Vgs=-4.5V)
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Original
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ELM34403AA-N
ELM34403AA-N
P8006EVG
SEP-30-2004
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ELM34403AA
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Text: 单 P 沟道 MOSFET ELM34403AA-N •概要 ■特点 ELM34403AA-N 是 P 沟道低输入电容，低工作电 •Vds=-55V 压，低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=-4.5A ·Rds on < 80mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 150mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值
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ELM34403AA-N
SEP-30-2004
P8006EVG
ELM34403AA
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Text: シングル P チャンネル MOSFET ELM34403AA-N •概要 ■特長 ELM34403AA-N は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-55V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-4.5A ・ Rds on < 80mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 150mΩ (Vgs=-4.5V)
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ELM34403AA-N
P8006EVG
SEP-30-2004
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Text: Single P-channel MOSFET ELM34403AA-N •General description ■Features ELM34403AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=-55V Id=-4.5A Rds(on) < 80mΩ (Vgs=-10V) Rds(on) < 150mΩ (Vgs=-4.5V)
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P8006EVG
SEP-30-2004
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