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    ELM32414LA

    Abstract: No abstract text available
    Text: 单 N 沟道 MOSFET ELM32414LA-S •概要 ■特点 ELM32414LA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=25V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=35A ·Rds on < 20mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 31mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目


    Original     		PDF ELM32414LA-S 133mH DEC-28-2004 ELM32414LA

    p2003bdg

    Abstract: P2003BD
    Text: Single N-channel MOSFET ELM32414LA-S •General description ■Features ELM32414LA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=25V Id=35A Rds(on) < 20mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 31mΩ (Vgs=4.5V)


    Original     		PDF ELM32414LA-S ELM32414LA-S 133mH DEC-28-2004 p2003bdg P2003BD

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: シングル N チャンネル MOSFET ELM32414LA-S •概要 ■特長 ELM32414LA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=25V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=35A ・ Rds on < 20mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 31mΩ (Vgs=4.5V)


    Original     		PDF ELM32414LA-S 133mH DEC-28-2004

    P2003BD

    Abstract: P2003BDG
    Text: Single N-channel MOSFET ELM32414LA-S •General description ■Features ELM32414LA-S uses advanced trench technology to provide excellent Rds on , low gate charge and low gate resistance. • • • • Vds=25V Id=35A Rds(on) < 20mΩ (Vgs=10V) Rds(on) < 31mΩ (Vgs=4.5V)


    Original     		PDF ELM32414LA-S ELM32414LA-S 133mH DEC-28-2004 P2003BD P2003BDG