DXT170-71-1
Abstract: SYJ314R-5G-Q DXT170 SYJ300-9-1-Q SYJ512M SYJ314R solenoid valve 24v ss3yj3 diode sy 171 sy 171
Text: 3 Port Solenoid Valve Rubber Seal Series SYJ300/500/700 SY Low power consumption: 0.5W Without light (Current draw: 21mA at 24V DC) Completely interchangeable with the previous series VJ300/500/700 and VZ300/500. Series VZ SYJ300 VJ300 — SYJ500 VJ500 VZ300
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SYJ300/500/700
VJ300/500/700
VZ300/500.
VJ300
SYJ500
VJ500
VZ300
SYJ700
VJ700
SYJ300
DXT170-71-1
SYJ314R-5G-Q
DXT170
SYJ300-9-1-Q
SYJ512M
SYJ314R
solenoid valve 24v
ss3yj3
diode sy 171
sy 171
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sy 360 diode
Abstract: diodes sy 360 Front Monitor Diode 33R3763
Text: SSI 33R3763 Laser Driver IC Preproduction May 1998 FEATURES The SSI 33R3763 is a high performance BiCMOS single chip laser driver for high-speed data reading and recording on an optical disc. The SSI 33R3763 is compatible with common-anode laser diodes. The IC
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Original
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33R3763
33R3763
64-lead
sy 360 diode
diodes sy 360
Front Monitor Diode
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VK334V
Abstract: diode sy 715 VK332E tabela varistor VK334Y 220v ac solenoid valve VKF334-G-01 ozono VK332W "DIODE" SY 171
Text: 3 Port Direct Operated Poppet Solenoid Valve Rubber Seal Series VK300 Model Universal porting Valve Model Available for N.C. valve, N.O. valve, divider valve, selector valve, etc. Nl/min: 196 Compact/Width 18 X Length 63 mm Low consumption 4W DC (Standard)
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VK300
VK332
VK332Y
VK332E
VK332V
VK332W
VK334
VK334Y
VK334E
VK334V
diode sy 715
VK332E
tabela varistor
VK334Y
220v ac solenoid valve
VKF334-G-01
ozono
VK332W
"DIODE" SY 171
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SMC - SY5120
Abstract: SMC SY313 omron G71-OD16 SY7120 G71-OD16 SY340 431a1 diode sy GVVZS3000-21A-2 19n marking 2 pin diode
Text: High Capacity & Simple Choices Series SY 5 Port Rubber Seal Solenoid Valve SV SY SYJ SX VK VZ VF VFR VP7 VQC SQ VQ VQ4 VQ5 VQZ VQD VFS VS VS7 VQ7 Series SY9000 newly realased 1.2-1 CE Marking Compliant Products The SY series complies with the EMC Directive and the Low Energy Directive based
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SY9000
SY3000
SY5000
SY7000
SMC - SY5120
SMC SY313
omron G71-OD16
SY7120
G71-OD16
SY340
431a1
diode sy
GVVZS3000-21A-2
19n marking 2 pin diode
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Application Note 1779 Author: Barry Kates Configuring Current Sharing on the ZL6105 and ZL8101 Introduction TABLE 2. COMPLETE ISHARE_CONFIG FIELD This application note describes the features and setup procedure for the ZL6105 and ZL8101 digital DC controllers
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ZL6105
ZL8101
ZL8101
AN1779
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diode sy 345
Abstract: diode SY 192 sd 339 sy 320 diode SD 338 SY 345 KT 829 b k3451 KT 828 A SD337
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN V E B R F T I N D U S T R I E V E R T R I E B R U N D F U N K UND F E R N S E H E N t B i n n a |r a d i o - t e l e v i s i o n I Ausgobe 1-2 _ _ Febr. 89 1-7 Mitteilung aus dam VEB RFT IV RuF Leipzig, Organisation Plan der Inventurtermine Ersatztell/sroßhandel 1989
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III/18/379
diode sy 345
diode SY 192
sd 339
sy 320 diode
SD 338
SY 345
KT 829 b
k3451
KT 828 A
SD337
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sy 320 diode
Abstract: sg 4001 diode GER-A sy 360 KT802A KY transistor diode sy 104 KT 315 a KT 802 mitteilung aus dem veb rft
Text: S E R V I C E - M I T T E I LU HClüN VEB INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN { p is i! ! r a d i o -televisioni | JANUAR 1982 4 1 SEITE 1-4 Mitteilung aus dem VEB Fernsehgerätewerke "Friedr. Engels" Staßfurt Farbreinheitsstörungen bei In-line-Bildröhren
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6P45S
Abstract: 6N23P 6P14P Selenstab 5 GE 200 AF Hochsp.leitg 6F1P service-mitteilungen D814D D814A hsk 103 taa550
Text: SERVICE-MITTEILUNGEN V E B IN D U S T R IE V E R T R IE B R U N D F U N K U N D F E R N S E H E N m m 1r a d i o - television QKTOBKR | 1 9 8 1 11 SEITE Mitteilung auf dem 7KB Fernsehgerätewerke "Friedr. Sögels" Staßfurt Servlcehi nwels zum SECAM - IS - Dekoder A 295 D» A 220 D
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TGLIO395
III/I8/379
6P45S
6N23P
6P14P
Selenstab 5 GE 200 AF Hochsp.leitg
6F1P
service-mitteilungen
D814D
D814A
hsk 103
taa550
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D360SC6M
Abstract: L017
Text: Schottky Barrier Diode Diode Module •¿m u OUTLINE Package I Module D360SC6M Unit : mm W eight 66R T yp> Isi Ö 51 3-M4 nui thickness = 3.2 60V 360A p, Feature •« V • High lo Rating-Module-PKG • Low V f • Small 9 je f • 8 jcÖ ^/JV c^L' 0 1 °
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D360SC6M
CJ533-1
D360SC6M
L017
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848 diode
Abstract: No abstract text available
Text: OPTEK Product Bulletin OPB847 July 1996 Slotted Optical Switches Types OPB847, OPB848 r .360 6.6 BOTTOM VIEV, D1KMSION5 *SE IN INChCS [WILLINTERS Features Absolute Maximum Ratings (Ta = 25° C unless otherwise noted) • Non-contact switching • Apertured for high resolution
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OPB847
OPB847,
OPB848
848 diode
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diodes sy 360
Abstract: diode sy 161
Text: Philips Sem iconductors Product specification General purpose double diode BAV23 PINNING FEATU RES D E S C R IP T IO N • Sm all plastic S M D package The B A V 23 consists of two general purpose diodes fabricated in planar technology, and encapsulated in the
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BAV23
diodes sy 360
diode sy 161
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Diode KD 514
Abstract: B30C250 GD507A DIODE OA-172 kyx 28 SY360 ky 202 h thyristor B280C1500 C5000-3300 BZY79C
Text: Deutsche Post Studiotechnik Fernsehen BauelementeMitteilunq Nr.7 Diodenvergleichsliste Verfasser: Dipl.-Ing. Klaus-Peter Hartmann Abteilung PMM Herausgeber: \>y Studiotechnik Fernsehen Informationsstelle RIS 1429 1 19 9 Berlin Rudower Chaussee 3 Fernruf: 6 7 3 3381
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170
Text: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenndaten der in der DD R gefertigten H albleiterbauelem ente. Die Kennwerte werden im allgem einen für eine Um gebungs temperatur von 25 °C angegeben.
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DOR102
Halbleiterbauelemente DDR
GAZ17
diode sy-250
"halbleiterwerk frankfurt"
sal41
diode sy-170
SF 127
diode say17
Halbleiter-Bauelemente DDR
SY 170
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BUK454-400B
Abstract: T0220AB PPD-25
Text: N AMER b^E PHILIPS/DISCRETE D • hhS3^3l □□3Db2D BUK454-400B PowerMOS transistor GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope. The device is intended for use in Switched Mode Power Supplies SM PS , motor control, welding,
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hhS3131
BUK454-400B
T0220AB
BUK454-400B
T0220AB
PPD-25
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Diode SY 356
Abstract: SY 356 sy356 34992 diode sy 345 C6042 Lautsprecher LP SY360 sy 360 stassfurt
Text: SERVICE-M ITTEILUNGEN V E B IN O U S T R tE V E R T R IE B R U N D F U N K U N D F E R N S E H E N r a d i o -television AUSGABE: Seite 1986 1-4 Mitteilung aus den VEB Fernsehgerätewerk Staßfurt 1. Ablösung der sowjetischen Ge-Diode D 7 D in den Geräten
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2001/DBBtjT
Diode SY 356
SY 356
sy356
34992
diode sy 345
C6042
Lautsprecher LP
SY360
sy 360
stassfurt
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lN4148
Abstract: DIODE LN4148 lN4744 Lloyd H. Dixon 2N3904 ND 24 volt output smps design
Text: \ dii' C 'h iM T V S o n i i i o i i d m t o r t o r p o r . i t i o n This application note describes the common post regulation methods used in power supply design and introduces the CS5101 Secondary Side Post Regulator Control IC. It also shows a detailed design example o f a dual output, current mode control, forward
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CS5101
CS3842A
P4845-ND
P4800-ND
P4806-ND
P4812-ND
P4814-ND
P4880-ND
lN4148
DIODE LN4148
lN4744
Lloyd H. Dixon
2N3904 ND
24 volt output smps design
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LM4250
Abstract: OP-32 OP32AZ OP32EP OP32EZ OP32FP OP32FZ OP32GP OP32GZ SY 360 05
Text: ANALOG ► DEVICES High-Speed A ^ > 10 Programmable Micropower Operational Amplifier OP-32 FEATURES • • • • • • • • • • • • • O R D E R IN G IN F O R M A T IO N v osMAX (HV) 300 300 500 1000 CERDIP 8-PIN — OP32EP OP32FP OP32GP
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OP-32
500nA
115dB
000V/mV
110dB,
OP-32B/F
OP-32,
LM4250
OP-32
OP32AZ
OP32EP
OP32EZ
OP32FP
OP32FZ
OP32GP
OP32GZ
SY 360 05
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mikroelektronik ddr
Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik vqb 71 A910D VQB71 "halbleiterwerk frankfurt" diode sy-170 VQB 37 u112d
Text: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn daten der in der DDR gefertigten Halbleiterbauelem ente. Dem Anwender soll durch diese Übersicht die Auswahl der jeweils in Frage kommenden
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BC 148 TRANSISTOR
Abstract: transistor BC-148 DIODE ga transistor bc 148 bc 147 B transistor service-mitteilungen 2GA113 "service-mitteilungen" sc236c RFT Service Mitteilung
Text: SE RV IC E-M ITTEILUN GEN television | VEB INDUSTRIEVERTRIEB RUNDFUNK UND FERNSEHEN f a li | r a d i o - AUGUST 1981 8 SEITE 1-4 Beobachtungssohwerpunkte hinsichtlich der Brandgefahren bei den SU - Farbfernsehgeräten RADUGA 5BG, -706, -726 und -730 Eine Analyse der Brandursachen an o.g. Cerätetypen außer RADUGA
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61-cm-Ger
BC 148 TRANSISTOR
transistor BC-148
DIODE ga
transistor bc 148
bc 147 B transistor
service-mitteilungen
2GA113
"service-mitteilungen"
sc236c
RFT Service Mitteilung
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BUZ171
Abstract: No abstract text available
Text: /TLintAB_ asss TECHNOLOGY program m able M icropow er Hex Translator / Receiver / Driver F € A T U ft€ S D6SCRIPTIOA • ■ ■ ■ ■ ■ ■ ■ The LTC1045 is a hex level translator manufactured using Linear Technology’s enhanced LTCMOS silicon gate
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LTC1045
V24ZA50
LTC1045
110BC
BUZ171
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Optoisolator Specifications H11J1-H11J5 Optoisolator GaAs Infrared Emitting Diode and Light Activated Triac Driver T he HI 1J series consists o f a gallium arsenide infrared emitting diode coupled with a light activated silicon bilateral switch, which functions
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H11J1-H11J5
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SEM ICONDUCTOR U10A2CIA TE CHNICAL DATA ULTRA FAST RECOVERY RECTIFIER DIODE SW ITC H IN G TY PE POW ER SUPPLY APPLICATIO N C O N V E R T E R & CH O PP E R A PPLICATION. SJ MILLIMETERS 10.0±0.3 15.010.3 FEA T U RE S 2.70+0.3 0.76+0.09/-0.05 <t>3.2±0.2 3.010.3
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U10A2CIA
O-220IS
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ETIT
Abstract: No abstract text available
Text: TOSHIBA MIG15Q804H TENTATIVE TOSHIBA INTEGRATED IGBT MODULE SILICON N CHANNEL IGBT MIG15Q804H HfGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLiCATIONS • In te g ra te s In verter, C onverter Pow er C ircu its in One P ack ag e. • O u tpu t Inverter S tag e
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MIG15Q804H
25/iS
ETIT
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p32a
Abstract: S450N
Text: ANALOG DEVICES □ High-Speed /V > 10 Programmable Micropower Operational Amplifier OP-32 FEATURES • • • • • • • • • • • • • p re c is io n Programmable Supply Current. 500nA to 2mA Single Supply Operation. +3Vto+30V
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OP-32
OP-32,
gain-of-100
15/xA
500kn
p32a
S450N
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