BPX63
Abstract: E7800 GET06625 Q62703-Q198 Q62703-Q199 Q62703-Q3509
Text: 2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 2.54 mm spacing ø0.45 LD 242 1 0.9 .1 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) fet06625 Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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GET06625
fet06625
OHR01937
OHR01877
BPX63
E7800
GET06625
Q62703-Q198
Q62703-Q199
Q62703-Q3509
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din 40 040 gqg
Abstract: E7800 GET06625 Q62703-Q198 Q62703-Q199 Q62703-Q3509 MSE16
Text: 2.7 Chip position ø4.3 ø4.1 14.5 12.5 1 1.1 .9 2.54 mm spacing ø0.45 LD 242 1 0.9 .1 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter ø5.5 ø5.2 3.6 3.0 GET06625 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) fet06625 Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Original
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GET06625
fet06625
OHR01937
OHR01877
din 40 040 gqg
E7800
GET06625
Q62703-Q198
Q62703-Q199
Q62703-Q3509
MSE16
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800 preliminary data / vorläufige Daten Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden
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Original
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E7800
850nm
850nm
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BPX osram
Abstract: E7800 GETY6625 Q62703Q015
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel
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Original
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BPX osram
Abstract: E7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger
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Original
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E7800
Q62703-Q4755
BPX osram
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BPX osram
Abstract: E7800 242-E7800
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel • Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63, SFH 464,
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Original
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E7800
Abstract: GETY6625 OHLY0598
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel
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Original
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Q62702P1745
Abstract: E7800 GETY6625 OHLY0598
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden
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Original
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E7800
Abstract: GETY6625 OHLY0598
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden
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Original
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E7800
Q62702Q1745
103ou
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opto 7800
Abstract: No abstract text available
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel
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Original
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E7800
opto 7800
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BPX osram
Abstract: E7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Sehr hoher Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 464 Wesentliche Merkmale Features • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden
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Original
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E7800
Q62702Q1745
103ou
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BPX osram
Abstract: E7800 GETY6625 OHLY0598
Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 242 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Großer Öffnungskegel
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Original
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din 40 040 gqg
Abstract: high power infrared LEd sfh4850e7800
Text: Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800 preliminary data / vorläufige Daten Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden
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Original
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E7800
850nm
din 40 040 gqg
high power infrared LEd
sfh4850e7800
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SFH483ME7800
Abstract: SFH483-M sfh483m E7800 LME7800
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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E7800
E7800
Q62703Q4755
SFH483ME7800
SFH483-M
sfh483m
LME7800
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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Original
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E7800
Anwendungen2006-12-07
E7800
Q62703Q4755
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E7800
Abstract: GETY6625 OHLY0598 measurement of humidity in das
Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
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E7800
E7800
GETY6625
OHLY0598
measurement of humidity in das
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E7800
Abstract: GETY6625 OHLY0598
Text: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung
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E7800
E7800
GETY6625
OHLY0598
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit
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E7800
Anwendungen2007-12-07
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SFH464 SIEMENS GaAIAs Infrared Emitter FEATURES • Radiation without IR in visible red range • Cathode electrically connected to case • Very high efficiency • High reliability • short switching time • Same package as BP 103, LD 242 • DIN humidity category per DIN 40040 GQG
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SFH464
18-pln
fl535t
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tg 7f
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter LD 242 2.7 00.45 Chip position co •>-; S i n 8_ Gl q -g ; O cvj « 14.5 12.5 3.6 ^3.0 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g 8 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 2.7 00.45 LD 242 Chip position CO i - ; Q O 3.6 " 3.0 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g IO C\J (O (O o 0) Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherwise specified.
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siemens LD
Abstract: No abstract text available
Text: SIEMENS LD 242 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 2 .7 • p * Chip position 0 0 .4 5 Anode LD 2 4 2 , BPX 6 3 , SFH Cathode (S FH 464 483) A p p ro x. w eight 0 .5 g M a ß e in m m , w enn nicht and ers a n g eg eb en /D im en s io n s in m m , unless otherw ise specified.
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