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    CTR100 Search Results

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    CTR100 Price and Stock

    Surge Components Inc VZH331M1CTR-1008S

    CAP ALUM 330UF 20% 16V SMD
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    DigiKey VZH331M1CTR-1008S 375
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    L-com Inc LCTR1001

    DC-1GHZ 2W RF LOAD, SMA (M)
    Distributors Part Package Stock Lead Time Min Order Qty Price Buy
    DigiKey LCTR1001 Bag 4 1
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    RS LCTR1001 Bulk 3 Weeks 1
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    Vishay Electro-Films CTR10000FFKNGNKWS

    CTR 1% 100PPM WS
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    DigiKey CTR10000FFKNGNKWS Tray 250
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    Vishay Electro-Films CTR10001KFCGANHWS

    CTR 10% 50PPM WS
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    DigiKey CTR10001KFCGANHWS Tray 250
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    Vishay Electro-Films CTR10002FDKGANHWS

    CTR 1% 100PPM WS
    Distributors Part Package Stock Lead Time Min Order Qty Price Buy
    DigiKey CTR10002FDKGANHWS Tray 250
    • 1 -
    • 10 -
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    CTR100 Datasheets (4)

    Part ECAD Model Manufacturer Description Curated Type PDF
    CTR10000FFKGANHWS Vishay Electro-Films Resistor Networks, Arrays, Resistors, RES NET 1K OHM 2 RES 0303 Original PDF
    CTR10000FFKGANHWT Vishay Electro-Films Resistor Networks, Arrays, Resistors, RES NET 1K OHM 2 RES 0303 Original PDF
    CTR10001FFKGANHWS Vishay Electro-Films Resistor Networks, Arrays, Resistors, RES NET 10K OHM 2 RES 0303 Original PDF
    CTR10001FFKGANHWT Vishay Electro-Films Resistor Networks, Arrays, Resistors, RES NET 10K OHM 2 RES 0303 Original PDF

    CTR100 Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet MFG & Type PDF Document Tags

    PM200RSE060

    Abstract: E80276
    Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM200RSE060 フラットベース形 絶縁形 PM200RSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用


    Original     		PDF PM200RSE060 200A15kHz 600V75A E80276 E80271 20VCE PM200RSE060

    PM150RLA120

    Abstract: E80276
    Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM150RLA120 フラットベース形 絶縁形 PM150RLA120 特長 ➀ 第 5 世代 1µm ルール IGBT（CSTBT）チッ プ採用 Vce sat (@Tj=125℃)=typ.1.9V ➁ CSTBTチップのTj検出による過熱保護を


    Original     		PDF PM150RLA120 E80276 E80271 PM150RLA120

    PM50RLB120

    Abstract: E80276
    Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM50RLB120 フラットベース形 絶縁形 PM50RLB120 特長 ➀ 第 5 世代 1µm ルール IGBT（CSTBT）チッ プ採用 Vce sat (@Tj=125℃)=typ.1.9V ➁ CSTBTチップのTj検出による過熱保護を


    Original     		PDF PM50RLB120 1200V50A E80276 E80271 19-s0 VUP10 PM50RLB120

    PM100*060

    Abstract: E80276 PM100RSE060 pm100R
    Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM100RSE060 フラットベース形 絶縁形 PM100RSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用


    Original     		PDF PM100RSE060 100A15kHz 600V30A E80276 E80271 PM100*060 PM100RSE060 pm100R

    E80276

    Abstract: PM50CSE060
    Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM50CSE060 フラットベース形 絶縁形 PM50CSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用


    Original     		PDF PM50CSE060 50A15kHz E80276 E80271 PM50CSE060

    PM100RSD120

    Abstract: E80276 PM100CSA120 3PM10
    Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM100RSD120 フラットベース形 絶縁形 PM100RSD120 特長 ➀第4世代 リファイン1µmルール プレーナ IGBT チップ採用 ➁ 新設計 FWDi 採用 ダイオードリカバリー特性改善


    Original     		PDF PM100RSD120 3PM100CSA120 15kHz 5/22kW E80276 E80271 PM100RSD120 PM100CSA120 3PM10

    E80276

    Abstract: PM75CLB060
    Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM75CLB060 フラットベース形 絶縁形 PM75CLB060 特長 ➀ 第 5 世代 1µm ルール IGBT（CSTBT）チッ プ採用 Vce sat (@Tj=125℃)=typ.1.5V ➁ CSTBTチップのTj検出による過熱保護を


    Original     		PDF PM75CLB060 600V75A E80276 E80271 19-s0 PM75CLB060

    PM200CLA120

    Abstract: E80276
    Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM200CLA120 フラットベース形 絶縁形 PM200CLA120 特長 ➀ 第 5 世代 1µm ルール IGBT（CSTBT）チッ プ採用 Vce sat (@Tj=125℃)=typ.1.9V ➁ CSTBTチップのTj検出による過熱保護を


    Original     		PDF PM200CLA120 1200V200A 15kHz E80276 E80271 PM200CLA120

    PM50CL1A120

    Abstract: PM50CL1A
    Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM50CL1A120 フラットベース形 絶縁形 PM50CL1A120 特長 インバータ＋駆動・保護回路内蔵 ① 第5世代フルゲートタイプCSTBTTM搭載 ② CSTBTTMのチップ表面温度を検出する過熱保護を採用


    Original     		PDF PM50CL1A120 50A1200VIGBT PM50CL1A120 PM50CL1A

    PM300CL1A060

    Abstract: 300A600VIGBT
    Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM300CL1A060 フラットベース形 絶縁形 PM300CL1A060 特長 インバータ＋駆動・保護回路内蔵 ① 第5世代フルゲートタイプCSTBTTM搭載 ② CSTBTTMのチップ表面温度を検出する過熱保護を採用


    Original     		PDF PM300CL1A060 300A600VIGBT PM300CL1A060 300A600VIGBT

    PM50RL1B060

    Abstract: pm50rl1
    Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM50RL1B060 フラットベース形 絶縁形 PM50RL1B060 特長 インバータ＋ブレーキ＋駆動・保護回路内蔵 ① 第5世代フルゲートタイプCSTBTTM搭載 ② CSTBTTMのチップ表面温度を検出する過熱保護を採用


    Original     		PDF PM50RL1B060 50A600VIGBT PM50RL1B060 pm50rl1

    PM150CL1A120

    Abstract: 150A1200V
    Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM150CL1A120 フラットベース形 絶縁形 PM150CL1A120 特長 インバータ＋駆動・保護回路内蔵 ① 第5世代フルゲートタイプCSTBTTM搭載 ② CSTBTTMのチップ表面温度を検出する過熱保護を採用


    Original     		PDF PM150CL1A120 150A1200VIGBT PM150CL1A120 150A1200V

    PM50CL1B120

    Abstract: No abstract text available
    Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM50CL1B120 フラットベース形 絶縁形 PM50CL1B120 特長 インバータ＋駆動・保護回路内蔵 ① 第5世代フルゲートタイプCSTBTTM搭載 ② CSTBTTMのチップ表面温度を検出する過熱保護を採用


    Original     		PDF PM50CL1B120 50A1200VIGBT PM50CL1B120

    E80276

    Abstract: PM100CSE060
    Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM100CSE060 フラットベース形 絶縁形 PM100CSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用


    Original     		PDF PM100CSE060 100A15kHz E80276 E80271 PM100CSE060

    E80276

    Abstract: PM75RLB060
    Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM75RLB060 フラットベース形 絶縁形 特長 ➀ 第 5 世代 1µm ルール IGBT（CSTBT）チッ プ採用 Vce sat (@Tj=125℃)=typ.1.5V ➁ CSTBTチップのTj検出による過熱保護を


    Original     		PDF PM75RLB060 600V75A 600V50A E80276 E80271 19-s0 PM75RLB060

    PM75RL1B120

    Abstract: No abstract text available
    Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM75RL1B120 フラットベース形 絶縁形 PM75RL1B120 特長 インバータ＋ブレーキ＋駆動・保護回路内蔵 ① 第5世代フルゲートタイプCSTBTTM搭載 ② CSTBTTMのチップ表面温度を検出する過熱保護を採用


    Original     		PDF PM75RL1B120 75A1200VIGBT PM75RL1B120

    PM200CL1A060

    Abstract: No abstract text available
    Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM200CL1A060 フラットベース形 絶縁形 PM200CL1A060 特長 インバータ＋駆動・保護回路内蔵 ① 第5世代フルゲートタイプCSTBTTM搭載 ② CSTBTTMのチップ表面温度を検出する過熱保護を採用


    Original     		PDF PM200CL1A060 200A600VIGBT PM200CL1A060

    ot 112

    Abstract: PM75CS1D120
    Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM75CS1D120 フラットベース形 絶縁形 PM75CS1D120 特長 インバータ＋駆動・保護回路内蔵 ･ 3相75A／1200V CSTBTTM （電流センサ及び温度センサ内蔵）


    Original     		PDF PM75CS1D120 375A1200V ot 112 PM75CS1D120

    PM75CLA120

    Abstract: E80276 PM75CLA
    Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM75CLA120 フラットベース形 絶縁形 PM75CLA120 特長 ➀ 第 5 世代 1µm ルール IGBT（CSTBT）チッ プ採用 Vce sat (@Tj=125℃)=typ.1.9V ➁ CSTBTチップのTj検出による過熱保護を


    Original     		PDF PM75CLA120 1200V75A 11kW/15kW E80276 E80271 19-s0 PM75CLA120 PM75CLA

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM50CL1B060 フラットベース形 絶縁形 PM50CL1B060 特長 インバータ＋駆動・保護回路内蔵 ① 第5世代フルゲートタイプCSTBTTM搭載 ② CSTBTTMのチップ表面温度を検出する過熱保護を採用


    Original     		PDF PM50CL1B060 50A600VIGBT

    PM100CS1D060

    Abstract: No abstract text available
    Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM100CS1D060 フラットベース形 絶縁形 PM100CS1D060 特長 インバータ＋駆動・保護回路内蔵 ･ 3相100A／600V CSTBTTM （電流センサ及び温度センサ内蔵）


    Original     		PDF PM100CS1D060 3100A600V PM100CS1D060

    E80276

    Abstract: PM75B5LB060 DSA009794 IPM tm 35
    Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM75B5LB060 フラットベース形 絶縁形 PM75B5LB060 特長 ➀ 第 5 世代 1µm ルール IGBT（CSTBT TM）チッ プ採用 Vce sat (@Tj=125℃)=typ.1.55V ➁ CSTBT TM チップの Tj 検出による過熱保護を


    Original     		PDF PM75B5LB060 75AIGBT E80276 E80271 19-s0 PM75B5LB060 DSA009794 IPM tm 35

    PM450CLA120

    Abstract: E80276 tj 827
    Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM450CLA120 フラットベース形 絶縁形 PM450CLA120 特長 ➀ 第 5 世代 1µm ルール IGBT（CSTBT）チッ プ採用 Vce sat (@Tj=125℃)=typ.1.9V ➁ CSTBTチップのTj検出による過熱保護を


    Original     		PDF PM450CLA120 1200V450A 15kHz E80276 E80271 PM450CLA120 tj 827

    E80276

    Abstract: PM75CSA120 PM75RSD120
    Text: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM75RSD120 フラットベース形 絶縁形 PM75RSD120 特長 ➀第4世代 リファイン1µmルール プレーナ IGBT チップ採用 ➁ 新設計 FWDi 採用 ダイオードリカバリー特性改善


    Original     		PDF PM75RSD120 3PM75CSA120 75A15kHz 11/15kW E80276 E80271 PM75CSA120 PM75RSD120