TCA780
Abstract: TFK U 111 B TFK U 4614 B TFK S 186 P TFK U 217 B TFK BP w 41 n TFK BPW 41 N Tfk 880 TFK 148 TDSR 5150 G
Text: Industry Part Number 1N3245 1N3611GP 1N3612GP 1N3613GP 1N3614GP 1N3725 1N3957GP 1N4001GP 1N4002GP 1N4003GP 1N4004GP 1N4005GP 1N4006GP 1N4007GP 1N4245GP 1N4246GP 1N4247GP 1N4248GP 1N4249GP 1N4678.1N4717 1N4728A.1N4761A 1N4933GP 1N4934GP 1N4935GP 1N4936GP
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1N3245
1N3611GP
1N3612GP
1N3613GP
1N3614GP
1N3725
1N3957GP
1N4001GP
1N4002GP
1N4003GP
TCA780
TFK U 111 B
TFK U 4614 B
TFK S 186 P
TFK U 217 B
TFK BP w 41 n
TFK BPW 41 N
Tfk 880
TFK 148
TDSR 5150 G
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Photo diode TFK S 186 P
Abstract: TFMS 4300 IR diodes TFK S 186 P TFK BPW 41 N diode TFMt 4300 tfmt 4300 ir detector IR diode TFK 186 tfms 4300 n mobile receptor tfm 5380 TFK S 186 P
Text: Infrared Emitters and Detectors Data Book 1994 TELEFUNKEN Semiconductors TELEFUNKEN Semiconductors Table of Contents General Information 1. Selector guide 11 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 Alpha-numeric index IR emitters Detectors Photomodules IrDA-infrared data transmission
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tfk 731
Abstract: TFK BPW 41 N 74140 CQY 38 CQY 66 Fotodiode TFK 925 diode tfk diode s .* tfk Scans-0010327
Text: CQY 38 H 'W GaUliumarsenid-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitting Diode Anwendung: Strahlungsquelle im nahen Infrarot-Bereich Application: Radiation source in near infrared range Besondere Merkmale: Features: • Metallsockel mit Kunststofflinse • Metal base with plastic lens
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CQY 65
Abstract: CQY 38 Scans-0010326 910nm
Text: CQY 31 • CQY 32 'W Galliumarsenid-Lummeszenzdioden GaAs Infrared Emitting Diodes Anwendung: Strahlungsquelle im nahen Infrarot-Bereich Application: Radiation source in near infrared range Besondere Merkmale: • Hermetisches Gehäuse Features: • Herm etically sealed case
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100MA
CQY 65
CQY 38
Scans-0010326
910nm
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led 7 segment anode TIL 702
Abstract: trw 007 diodes TDDG 5250 m 817 optron telefunken transistor opto smd code marking NEC TDDG 5250 hoa 865 DIODE PK IN 5401 7segment sm 4150
Text: CONTENTS Alphanumeric Index 5 Symbol Designation 7 Type Designation Systems — for LEDs — for Displays — for IR-Emitters — for Laser-Diodes — for Optical Switches 8 8 8 8 8 Classification Code for all LEDs and Displays — for LEDs — Displays 9
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10x10
led 7 segment anode TIL 702
trw 007 diodes
TDDG 5250 m
817 optron
telefunken transistor
opto smd code marking NEC
TDDG 5250
hoa 865
DIODE PK IN 5401
7segment sm 4150
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bpx28
Abstract: Germanium diode OA 182 TAA920 fy sot 143 BSV57B AC187K BPW14 BF194 AD 161 BPX34
Text: Halbleiter TELE FUN KEN Übersicht Sem iconductor survey 1972/1973 B2/V.3.20/0872 D ie s e Liste soll die W ahl g ee ig n e te r H albleiter-Typen fü r die verschiedenen A n w en du ng szw ecke e rleich te rn . Z ur besseren Ü b e rs ic h t sind nur die w e se ntlich en D aten
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RPY 86
Abstract: valvo halbleiter RPY94 CQY 24 BV EI 30-20 3001 LDR 03 diode byx 64 600 valvo transistoren KP101A BAV99-1
Text: Elektronik. Wir bauen die Elemente. v a i v D Halbleiterbauelemente Produktprogramm DH, April 1984 Elektronik. Wir bauen die Elemente Unser Arbeitsgebiet - besonders die Mikroelektronik - entwickelt sich immer rascher zum Motor für eine Vielzahl von Innovationen. Mit gründ
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cqx 87
Abstract: germanium AEG Thyristor T 558 F TDA 2516 bu208 bf506 la 4430 BF963 TDA1086 transistor bf 175
Text: Page Contents Diodes 8 Transistors 15 Optoelectronic Devices 24 Integrated Circuits 33 1 Contents, alpha-numeric Type Page AA 112 AA113 AA117 AA 118 AA119 AA 132 AA 133 AA 134 AA 137 AA 138 12 12 8 12 12 8 8 8 12 12 BA 111 BA 121 BA 124 BA 125 BA 147/. BA 157
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AA113
AA117
AA119
BAV17
BAV18
BAV19
BAV20
BAV21
cqx 87
germanium
AEG Thyristor T 558 F
TDA 2516
bu208
bf506
la 4430
BF963
TDA1086
transistor bf 175
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LDR 03
Abstract: valvo halbleiter LDR -03 cny63 CNY62 BYX 71 800 CXY19 VALVO ldr 07 BZW10-12
Text: Halbleiter bauelemente • 1981/82 N, Bauelemente l m für die gesamte i f Elektronik V A L V O Valvo bietet das breiteste Produktprogram m an Bauelementen für die gesamte Elektronik in Deutschland: Bildröhren A blenkteile Tuner Lautsprecher Transform atoren
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FL 817C
Abstract: K3022P equivalent nec 2561 equivalent 817c moc 3021 and 4n33 TLP 2561 CNY63 TLP 817 PS2001 C817B
Text: Vishay Telefunken Cross Reference This guide includes a code letter system which designates the compatibility between Vishay Telefunken devices and those of other manufacturers. Code Definitions A Vishay Telefunken’s device is electrically and mechanically equivalent or better
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BRT11
DT1110
1106G
DT1110G
1123G
FL 817C
K3022P equivalent
nec 2561 equivalent
817c
moc 3021 and 4n33
TLP 2561
CNY63
TLP 817
PS2001
C817B
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ZPD 5.1 ITT
Abstract: ZPD ITT diode zener ZD 88 germanium BYY32 germanium transistor CJ 4148 ZENER BAW21 ITT ZPD 11 itt germanium diode
Text: General Information Germanium Gold Bonded Diodes Silicon Diodes Silicon Capacitance Diodes Silicon Diode Switches PIN Diodes Silicon Zener Diodes and Temperature Compensated Stabilizing Circuits Silicon Stabilizer Diodes Light Emitting Diodes Silicon Rectifiers
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F-92223
D-7800
ZPD 5.1 ITT
ZPD ITT
diode zener ZD 88
germanium
BYY32
germanium transistor
CJ 4148 ZENER
BAW21
ITT ZPD 11
itt germanium diode
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gruner 281
Abstract: gruner 281 A 17 200 D gruner 275 A 17 200 gruner 275 c 17 gruner 283 gruner* 281 B 17 200 D gruner 275 A 17 200 D NRED gruner 275 A A63-120X
Text: Netzröhre fur GW-Heizung indirekt geheizt TELEFUNKEN DA-AC-Heating indirectly heated A 63-120 X FarbFernsehbiidröhre Colour TV picture tube Vorläufige technische Daten - Tentative data Rechteckige Farb-Fernsehbildröhre. Farbmischung mittels 3 Elektronenstrahlen durch eine Lochmaske
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TFK 680 CNY 70
Abstract: 7447n BTP-128-400 ITT TCA 700 Y btp 128 550 74151n Katalog CEMI SFC2741DC 4BYP250-400 TFK 227
Text: NAUKOWO-PRODUKCYJNE CENTRUM PÒLPRZEWODNIKÓW CEMI ELEMENTY PÓtPRZEWODNIKOWE I UKtADY SCALONE USTA PREFERENCYJNA 1982/84 Warszawa 1982 WPROWADZENIE LISTA PREFEREMCYJNA zawiera wykaz podzespolów kowanych aktualnle, przewldzianych do produkcji w w ramach urnów specjallzacyjnych 1 kooperacyjnych.
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BD512 mosfet
Abstract: itt transistoren Relais ITT halbleiterwerk transistor 2N 3055 ITT Intermetall Leuchtdiode CQY 40 transistor BD 522 schaltregler BD512
Text: VMOS Transistoren Eigenschaften und Schaltungsbeispiele 6240-09-2 D INTERMETALL Halbleiterwerk der Deutsche ITT Industries GmbH VMOS-Transistoren Eigenschaften und Schaltungsbeispiele Zusammengestellt von folgenden Mitarbeitern der ITT Semiconductors Gruppe
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APY12
Abstract: BYY32 ac176 AEY26 BAV77 bby20 BD545B BAV27 transistor KT 209 M AF367
Text: Semiconductors Semiconducteurs Halbleiter YEARLY EDITION - EDITION AN N UELLE - jX H R LIC H E AU SG A BE SIXTH EDITION SIXIEME EDITION SECHSTE AUSGABE 1978 Compiled by: Association Internationale PRO ELECTRON, Bd. de Waterloo, 103, B 1000 BRUSSELS Published by: JE. E KLUWER, B 2100 DEURNE-ANTWERP
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Edition-1978)
Ausgabe-1978)
BS3934
SO-26
OT-114
NS371
APY12
BYY32
ac176
AEY26
BAV77
bby20
BD545B
BAV27
transistor KT 209 M
AF367
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DOX10
Abstract: No abstract text available
Text: MITSUBISHI INTEGRATED CIRCUIT M65790FP FBTC I MAGE D A T A COMPRESSION and DECOMPRESSION LSI • Easy decision fo r im a g e data m e m o ry ca p a c ity by constant compression ra tio 8/3. • Enoonding, decoding and im age data e diting w ith high speed data processing rate-20M B ps.
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M65790FP
M6579QFP
M65790FP
DOX10
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VOGT p8
Abstract: tic 2160 triac kaschke fi 270 uaa145 EQUIVALENT UAA145 "direct replacement" TDA1086T telefunken transistor Kaschke Components CQY40 UAA146
Text: Allgemeines General Seite Page • H I Schaltungen fur Rundfunkempfanger Circuits for radio receivers Seite Page Schaltungen fur die Signalverarbeitung in Fernsehempfangern Circuits for the signal processing in television receivers Seite ■ Page ■ Schaltungen fur Bedienungssysteme in Rundfunk- und
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bzp 650 c10
Abstract: bzp 650 c12 BDP286 C9VI 5t BZP 630 C9V1 bdp 286 BDP 284 BdP 285 BDP 283 BZP 630 C24
Text: NAUKOWO- PRODUKCYJNE CENTRUM PÓLPRZEWODNIKÓW ELEMENTY PÓLPRZEWODNIKOWE Katalog wyrobów CEMI 1983/1984 C z ç é é I ELEMENTY DYSKRETNE Warszawa 1983 r. SPI S TRECCI Str. Od Wydawcy .
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NTCI11
TC212
NTC220
NTC22I
NTC220
NTC50I
bzp 650 c10
bzp 650 c12
BDP286
C9VI 5t
BZP 630 C9V1
bdp 286
BDP 284
BdP 285
BDP 283
BZP 630 C24
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aeg diode Si 61 L
Abstract: aeg diodes D6 SGS Transistors BC23B SILICONIX U315 MZ306 BY126 bcv59 ac128 2N3680
Text: Semiconductor Data Book Semiconductor Data Book Characteristics of approx. 10 000 Transistors, FETs, UJTs, Diodes, Rectifiers, Optical Semiconductors, Triacs and SCRs, Compiled by A. M. Ball Head of Physics, Teign School Newnes Technical Books Newnes Technical Books
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11tA0A12
A025A
A0290
U0U55
A0291
A0292
A0305
A0306
A0A56
A0A59
aeg diode Si 61 L
aeg diodes D6
SGS Transistors
BC23B
SILICONIX U315
MZ306
BY126
bcv59
ac128
2N3680
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JRC 45600
Abstract: YD 803 SGS 45600 JRC TDA 7277 TDA 5072 krp power source sps 6360 2904 JRC Sony SHA T90 SA philips HFE 4541
Text: I SEMICON INDEXES Contents and Introduction Manufacturers' Information V O LU M E 3 INTERNATIONAL INTEGRATED CIRCUITS INDEX 15th EDITION 1997 Numerical Listing of Integrated Circuits Substitution Guide U D C 621.382.3 Diagram s THE S E M IC O N INTERNATIONAL INDEXES
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ZOP033
ZOP035
ZOP036
ZOP037
ZOP038
ZOP039
ZOP045
ZOP042
ZOP041
ZOP043
JRC 45600
YD 803 SGS
45600 JRC
TDA 7277
TDA 5072
krp power source sps 6360
2904 JRC
Sony
SHA T90 SA
philips HFE 4541
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